Niezawodność wysokonapięiowych modułów IGBT du.żej mocy

• Autorzy: Gawecka H. , Januszewski S.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wymagania niezawodnościowe dotyczące tranzystorów IGBT. Omówiono narażenia tranzystorów w czasie pracy oraz badania mechaniczno - klimatyczne i środowiskowe.

EN

Reliability requirements on the IGBT transistors.Liabilities of the transistors during operation. Mechanical, climatic and environmental test.

Słowa kluczowe

PL

wymagania niezawodnościowe; tranzystory IGBT

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 1999
• Tom: nr 8
• Strony: 413--417
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., tab., wykr., zdj.

Twórcy

autor

Gawecka H.

• redaktor działowy Wiadomiości Elektrotechnicznych

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie

Bibliografia

• [1] BERG H., WOLFGANG E.: Advanced IGBT Modules for Railway Traction Application: Reliability Testing. Microelectronics Reliability 1998 nr 6-8
• [2] COVA P., FANTINI F.: On the Effect of Power Cycling Stress on IGBT Modules. Microelectronics Reliability 1998 nr 6-8
• [3] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Postępy w technice tranzystorów IGBT dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne 1998 nr 6
• [4] GTTERT J., KHLER W., SOMMER K.H., LEFRANC G.: Insulation Voltage Test and Partial Discharge Test of 3,3 kV IGBT - Modules. Power Conversion Proceedings. June 1997, Norymberga
• [5] HAMIDI A., COQUERY G., LALLEMAND R.: Reliability of High Power IGBT Modules Testing on Thermal Fatigue Effects Due to Traction Cycles. Proceeding of EPE' 97, Trondheim
• [6] HAMIDI A., COQUERY G., LALLEMAND R., VALES P., DORKEL J.M.: Temperature Measurements and Thermal Modeling of High Power IGBT Multichip Modules for Reliability Investigations in Traction Applications. Microelectronics Reliability 1998 nr 6-8
• [7] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M., ŚWIĄTEK H.: Uszkodzenia tranzystorów IGBT dużej mocy w warunkach eksploatacyjnych. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 1
• [8] JANUSZEWSKI S.: Sprawdzanie obszarów bezpiecznej pracy dotyczących tranzystorów IGBT. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 5
• [9] SOMMER K., GÓTTERT J., LEFRANC G., SPANKE R.: Multichip High Power IGBT Modules for Traction and Industrial Application. Konferencja EPE' 97, Trondheim