Obudowy pastylkowe z dociskiem zewnętrznym tranzystorów IGBT umożliwiające chłodzenie obustronne

• Autorzy: Januszewski S.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono rozwój obudów przyrządów energoelektronicznych. Omówiono moduły IGBT z chłodzeniem jednostronnym oraz obudowy dociskowe IGBT z chłodzeniem obustronnym.

EN

Development of the casings of power electronic devices is presented. IGBT modules with one - sided cooling and clamp - type casings with double - sided cooling are discussed.

Słowa kluczowe

PL

obudowy pastylkowe; tranzystory IGBT; obudowy dociskowe

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 1999
• Tom: nr 12
• Strony: 628--633
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie

Bibliografia

• [1] ARAI K. i in.: Development of New Concept Packaging Third Generation IGBT Modules U Series. Proc. of Power Conversion - PCIM ' 96. May 1996, Norymberga
• [2] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Problemy konstrukcyjne przekształtników z modułami IGBT dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 9
• [3] HIYOSHI M. i in.: 3,3 kV and 2,5 kV Press Pack IGBT Switching Performance and Mechanical Reliability. Proc. of Power Conversion PCIM' 97. June 1997, Norymberga
• [4] JANUSZEWSKI S., ŚWIATEK H.: Nowoczesne przyrządy półprzewodnikowe w energoelektronice. WNT, Warszawa 1994
• [5] KOGA T. i in.: Ruggedness and Reliability of the 2,5 kV - 1,8 kA Power Pack IGBT with Novel Multicollector Structure. Proc. of International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits - ISPSD' 98. June 1998, Kyoto
• [6] MATSUDA H. i in.: Pressure Contact Assembly Technology of High Power Devices. Proc. of ISPSD' 97. May 1997, Weimar
• [7] RAMMINGER S. i in: Crack Mechanism in Wire Bonding Joints. Microdedronics Reliability 1998, t. 38
• [8] SEKL Y. i in.: Ultra High-Ruggedness of 2,5 kV/1 kA Power Pack IGBT. Proc. of European Conference on Power Electronics and Application - EPE' 97. Sept. 1997, Trondheim, t. 2
• [9] TAKAHASHI Y. i in.: Ultra High Power 2,5 kV - 1800 A Power Pack IGBT. Proc. of ISPSD' 97. May 1997, Weimar
• [10] ZELLER H.: High Power Components - frorn the State of the Art to Future Trends. Proc. of Power Conversion - PCIM ' 98. May 1998, Norymberga