Porównanie charakterystyk eksploatacyjnych tranzystorów energoelektronicznych MOSFET i IGBT

• Autorzy: Januszewski S. , Gawecka H.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono strukturę, właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów polowych MOSFET i bipolarnych z izolowaną bramką IGBT. Omówiono zdolność łączeniową i obciążalność prądową tranzystorów MOSFET i IGBT.

EN

Structure,static and dynamic properties of field effect transistors MOSFET and bipolar transistors IGBT. Switchability and currentcarrying capacity of the MOSFET and IGBT transistors

Słowa kluczowe

PL

tranzystory energoelektroniczne; tranzystory bipolarne; tranzystor MOSFET; tranzystor IGBT

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 1999
• Tom: nr 11
• Strony: 590--593
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie

autor

Gawecka H.

• redaktor działowy Wiadomości Elektrotechnicznych

Bibliografia

• [1] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Postępy w technice tranzystorów IGBT dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne 1998 nr 6
• [2] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M.: Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS. Wiadomości Elektrotechniczne 1998 nr 6
• [3] JANUSZEWSKI S.: Przegląd aktualnych tendencji rozwojowych w dziedzinie energoelektroniki. Materiały VIII Sympozjum „Podstawowe problemy energoelektroniki i elektromechaniki - PITE' 99". Wisła, marzec 1999
• [4] JANUSZEWSKI S.: Sprawdzanie obszarów bezpiecznej pracy dotyczących tranzystorów IGBT. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 5
• [5] LOKUTA F., BOBER G.: Ultrafast IGBT Beats MOS in Switching Applications. Proceedings of Power Conversion. PCIM, May 1998