Sprawdzenie obszarów bezpiecznej pracy dotyczących tranzystorów IGBT

• Autorzy: Januszewski S.
• Języki publikacji: PL

Słowa kluczowe

PL

bezpieczna praca; tranzystory IGBT

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 1999
• Tom: nr 5
• Strony: 246--249
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., tab., schem.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie

Bibliografia

• [1] ECKEL H.G., SACK L.: Optimalization of the Short Circuit Behaviour of NPT-IGBT by the Gate Drive. Proc. of EPE '95, Sevilla (Spain), wrzesień 1995
• [2] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Postępy w technice tranzystorów IGBT dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne 1998 nr 6
• [3] HAGINO H. i in.: En Experimental and Numerical Study on the Forward Biased SOA of IGBT s. IEEE Trans. on Electron Devices 1996 nr 3
• [4] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M., ŚWIATEK H.: Uszkodzenia tranzystorów dużej mocy w warunkach eksploatacyjnych. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 1
• [5] SHEN Z.J. i in.: Current Sensing Characteristics of IGBT's Under Short Circuit Conditions. Proc. of EPE' 95, Sevilla (Spain), wrzesień 1995
• [6] WHEELER P.W.: The Control and Optimalisation of IGBT Turn-off Characteristics Under Short Circuit Conditions. Proc. of PEMC ' 98. Prague (Czech Republic), wrzesień 1998