Postępy w technice tranzystorów

• Autorzy: Gawecka H. , Januszewski S.

Warianty tytułu

EN

Advances in the high power IGBT transistor technology

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Na podstawie materiałów konferencyjnych prezentujących najnowsze osiągnięcia z dziedziny energoelektroniki przedstawiono zagadnienia związane z technologią wytwarzania i zastosowaniem tranzystorów IGBT.

EN

Basing on the conference materials on the latest achievements in the field on power electronics,the authors present problems associated with the manufacturing process and application of IGBT transistors.

Słowa kluczowe

PL

tranzystory IGBT; półprzewodnikowe przyrządy mocy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 1998
• Tom: nr 6
• Strony: 370--375
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz. rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Gawecka H.

• Redaktor działowy Wiadomości Elektrotechnicznych

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie

Bibliografia

• [1] AUERBACH F., FISCHER K.: A new generation of 1700 V IGBT modules optimizes power consumption of high end inverters. Konferencja PCIM’97. Norymberga
• [2] GAWECKA H.: Trzecia generacja tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką IGBT. Wiadomości Elektrotechniczne 1995 nr 5
• [3] GAWECKA H.: Doroczna konferencja energoelektroniki w Norymberdze PCIM’97. Wiadomości Elektrotechniczne 1998 nr 2
• [4] HIERHOLZER M. and oth.: Improved characteristics of 3,3 kV IGBT modules. Konferencja PCIM’97. Norymberga
• [5] HIYOSHI M. and oth.: 3,3 kV and 2,5 kV press pack IGBT switching performance and mechanical reliability. Konferencja PCIM’97. Norymberga
• [6] ISHII K. and oth.: A new high power high voltage IGBT. Konferencja PCIM’97. Norymberga
• [7] JANUSZEWSKI S.: Europejskie konferencje poświęcone energoelektronice i jej zastosowaniom. Wiadomości Elektrotechniczne 1998 nr 1
• [8] JANUSZEWSKI S., ZYMMER K.: Nowe sterowalne przyrządy półprzewodnikowe w napędach energoelektronicznych. Wiadomości Elektrotechniczne 1996 nr 6
• [9] KRUMMER R. and oth.: Investigation and comparison of the parallel connection of discrete PT- and NPT-IGBTs. Konferencja PCIM’97. Norymberga
• [10] NODA S. and oth.: A Novel super compact intelligent power module. Konferencja PCIM’97. Norymberga
• [11] PAWELSKI W.: Podstawowe problemy w rozwoju tranzystorów IGBT. Elektronika 1997 nr 10
• [12] TANAKA A. and oth.: 3300 V high power IGBT modules with high reliability for traction applications. Konferencja PCIM’97. Norymberga