40 lat rozwoju i zastosowań półprzewodnikowych przyrządów mocy

• Autorzy: Januszewski S.

Warianty tytułu

EN

40 yares of advances and application of semiconductor power devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Scharakteryzowano diody mocy, tranzystory mocy, tyrysory. Opisano energetyczne układy scalone.Przedstawiono nowe materiały dla PPM i perspektywy w tej dziedzinie. Omówiono tradycyjne i nowe zastosowania oraz prognozy rozwoju PPM.

EN

Power diodes, power transistors and thyristors are charkterized. There are also presented new materials for the semiconductor power devices and prospects in this area,as well as traditional and new applications and forecasting.

Słowa kluczowe

PL

przyrządy mocy; tyrystory mocy; energetyczne układy scalone; diody mocy; tyrystory

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 1998
• Tom: nr 5
• Strony: 275--282
• Opis fizyczny: Bibliogr. 21 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie

Bibliografia

• [1] BALIGA B. J.: Power Semiconductor Devices. PWS Publishing Company, Boston 1996
• [2] BOSE B. K.: Recent Advances in Power Electronics and Drives. Conference PEMC'94, Warsaw 1994
• [3] GERTMAR L.: Needs for Solutions and New Areas of Applications for Power Electronics. EPE'97, Trondheim 1997
• [4] HIERHOLZER M. et al: 3300 V IGBT Modules for Traction Application. EPE'95, Sevilla 1995
• [5] JAECKLIN A. A.: Integration of Power Com-ponents-State of the Art and Trends. EPE'97, Trondheim 1997
• [6] JANUSZEWSKI S., ŚWIĄTEK H.: Nowoczesne przyrządy półprzewodnikowe w energoelektronice. WNT, Warszawa 1994
• [7] JANUSZEWSKI S.: Power Semiconductor Devices - State of the Art and Recent Trends. Proc. of PEMC'94, Warsaw 1994
• [8] JANUSZEWSKI S., ZYMMER K.: Nowe sterowalne przyrządy półprzewodnikowe w napędach energoelektronicznych. Wiadomości Elektrotechniczne 1996 nr 6
• [9] JANUSZEWSKI S., ŚWIĄTEK H.: Miernictwo półprzewodnikowych przyrządów mocy. WKiŁ, Warszawa 1996
• [10] JANUSZEWSKI S.: Półprzewodnikowe przyrządy mocy w energoelektronice. Przegląd Elektrotechniczny 1997 nr 1
• [11] JANUSZEWSKI S., ZYMMER K.: Osiągnięcia i prognozy rozwoju dotyczące dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów mocy i modułów energoelektronicznych. VII Sympozjum PPEE'97, Ustroń 1997
• [12] JANUSZEWSKI S., ŚWIĄTEK H., ZYMMER K.: Półprzewodnikowe przyrządy mocy w pytaniach i odpowiedziach. Wydawnictwo Instytutu Elektrotechniki, Warszawa 1998
• [13] LOCATELLI M. L. et al.: Semiconductor Materials for High Temperature Power Devices. EPE Journal 1994 nr 1
• [14] LORENZ L.: System Integration a New Milestone for Future Power Electronics Systems. EPE'97, Trondheim 1997
• [15] MITLEHNER H., SCHULZE H.J.: Current Developments in High Power Thyristors. EPE Journal 1994 nr 1
• [16] MATSUDA H. i in.: Pressure Contact Assembly Technology of High Power Devices. Symposium ISPSD'97, Weimar 1997
• [17] NAPIERALSKI A., NAPIERALSKA M.: Polowe półprzewodnikowe przyrządy dużej mocy. WNT, Warszawa 1995
• [18] PALMOUR J. W. et al.: Silicon Carbide for Power Devices. Symposium ISPSD'97, Weimar 1997
• [19] RISCHMULLER K.G.: Smartpower - On The Way System Integration? EPE'97, Trondheim 1997
• [20] SEKI Y. et al.: Power Pack IGBT: High Power (2,5 kV, 1 kA) RC-IGBT with Highly Reliable Flat Package. EPE'95, Sevilla 1995
• [21] VAN WYK J.D.: Present and Future Trends in Power Electronic Converters. EPE'95, Sevilla 1995