Uszkodzenia tranzystorów IGBT dużej mocy w warunkach eksploatacyjnych

• Autorzy: Januszewski S. , Kociszewska-Szczerbik M. , Świątek H.

Warianty tytułu

EN

Damages to high-power IGBT transistors under service conditions.

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Scharakteryzowano wysokonapięciowe i wielkoprądowe przyrządy półprzewodnikowe. Opisano specyficzne właściwości konstrukcji modułów z tranzystorami IGBT. Omówiono mechanizmy uszkodzeń tranzystorów IGBT oraz podano przykłady uszkodzeń.

EN

Characteristics of high-voltage and heavy-current semiconductor devices. Specific features of the units of modules with IGBT transistors. Mechanisms and examples of damages to IGBT transistors.

Słowa kluczowe

PL

przyrządy półprzewodnikowe; tranzystory IGBT; uszkodzenia tranzystorów; warunki eksploatacji

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 1999
• Tom: nr 1
• Strony: 19--22
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., wykr., zdj.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie
• członek SEP

autor

Kociszewska-Szczerbik M.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie
• członek SEP

autor

Świątek H.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie
• członek SEP

Bibliografia

• [1] BRUNNER H. i in.: 3300 V IGBT Module for Traction Application. EPE' 95. Seville, t. 1
• [2] COQUERY G. i in.: Reliability of the 400 A IGBT Modules for Traction Converters-contribution on the Power Thermal Fatigue Influence on Life Expectancy. EPE' 95, Seville, t. 1
• [3] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M., STYPUŁKOWSKA E., ŚWIĄTEK H., ŚWIĄTEK G.: Investigation of Destroyed Parts of Surface of High Power Semiconductor Devices in Service Conditions. 6th European Symposium Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis ESREF '95. Oct. 1995, Bordeaux
• [4] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZER-BIK M., ŚWIĄTEK H: Uszkodzenia połprzewodnikowych przyrządów mocy w warunkach eksploatacyjnych. Konferencja „Energoelektronika w zastosowaniach przemysłowych" EZP' 96. In-tytut Elektrotechniki, 1996
• [5] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M., ŚWIĄTEK H., ZYMMER K.: IGBT Transistor Failures in High Power Converters, Proceedings of the 3th International Seminar on Power Semiconductor - ISPS ' 96. Sept. 1996, Praga
• [6] JANUSZEWSKI S., ŚWIĄTEK H., ZYMMER K.: Some Experiences Concerning of a Starting and Service of High Power IGBT Converters. EPE' 97. Trondheim, t. 3
• [7] TAKAHASHI Y. i in.: 2,5 kV-1000 A Power Pack IGBT (High Power Flat-Packaged RC-IGBT). International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs-ISPSD' 96. May 1996, Hawaii (USA)