Otrzymywanie i właściwości cienkich warstw a-SiC:H nanoszonych w procesie RP-CVD z tetrametylodisilaetylenu

• Autorzy: Walkiewicz-Pietrzykowska A. , Wróbel A. M.

Warianty tytułu

EN

Deposition and properties of a-SiC:H thin films produced in RP-CVD process from tetramethyldisilethylene

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Amorficzne, uwodornione, cienkie, warstwy (a-SiC:H) były wytwarzane z 1,1,4,4-t Tetrametylodisilaetylenu (TMDSE) w selektywnym procesie plazmowym CVD (RP-CVD, remote plasma chemical vapor deposition), stosując wodor do generowania plazmy mikrofalowej (2,45 GHz). Warstwy nanoszone były przy rożnej temperaturze podłoża (TS = 30÷400°C), na polerowane płytki krystalicznego krzemu użyte jako podłoża modelowe Przedstawiono rezultaty badań nad wpływem temperatury podłoża na strukturę chemiczną oraz właściwości fizyczne, fizykochemiczne i mechaniczne otrzymanych cienkich warstwy węglika krzemu.

EN

Amorphous silicon carbide thin films were produced from 1,1,4,4- tetramethyldisilethylene in remote plasma chemical vapor deposition process using hydrogen for microwave plasma generation (2.45 GHz. The films were deposited on the polished crystalline silicon wafers used as a model substrates. In this work the effect of silicon base temperature on chemical structure, physical, physicochemical and mechanical properties of obtained thin films of silicon carbide has been presented.

Słowa kluczowe

PL

selektywny proces plazmowy CVD; cienkie warstwy węglika krzemu

EN

remote hydrogen plasma CVD; silicon carbide thin films

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 31, nr 4
• Strony: 1277--1279
• Opis fizyczny: Bibliogr. 21 poz., rys.

Twórcy

autor

Walkiewicz-Pietrzykowska A.

autor

Wróbel A. M.

• Centrum Badań Molekularnych i Makromolekularnych, Polska Akademia Nauk, Łódź,

Bibliografia

• [1] Smith G. B., McKenzie D. R. J.: Appl. Phys. 65 (1989) 1694.
• [2] Vetter M., Voz C., Ferre R., Martı I., Orpella A., Puigdollers J., Andreu J., Alcubilla R.: Thin Solid Films 511-512 (2006) 290.
• [3] Fanaei T., Camiré N., Aktik C., Gujrathi S., Lessard M.. Awad Y., Oulachgar E.,. Scarlete M.: Thin Solid Films 516 (2008) 3755.
• [4] Wróbel A. M., Wickramanayaka S., Kitamura K., Nakanishi Y., Hatanaka Y.: Chem. Vap. Deposition 6 (2000) 315.
• [5] Walkiewicz-Pietrzykowska A., Wrobel A. M., Glebocki B.: Chem. Vap. Deposition 15 (2009) 47.
• [6] Wróbel A. M., Walkiewicz-Pietrzykowska A., Bielinski D. M., Klemberg- Sapieha J. E., Nakanishi Y., Aoki T., Hatanaka Y.: Chem. Mater. 15 (2003) 1757.
• [7] Loboda M. J., Ferber M. K.: J. Mater. Res. 8 (1993) 2908.
• [8] Hatanaka Y., Sano K., Aoki T., Wróbel A. M.: Thin Solid Films 368 (2000) 287.
• [9] Wróbel A. M., Walkiewicz-Pietrzykowska A., Klemberg-Sapieha J. E., Hatanaka Y., Aoki T., Nakanishi Y.: J. Appl. Polym. Sci. 86 (2002) 1445- 1458.
• [10] Lucowsky G., Tsu D. V., Rudder R. A., Markunas R. J.: Thin Film Processes II, red. J. L. Vossen, W. Kern, Academic Press, Boston (1991) rozdz. IV-2.
• [11] Luft W., Tsuo Y. S.: Hydrogenated amorphous silicon alloy deposition process. Marcel Dekker, New York (1993).
• [12] Meikle S., Nakanishi Y., Hatanaka Y.: J. Vac. Sci. Technol. A 9 (1991) 1051.
• [13] Shibao R. K,. Srdanov V. I., Hay M., Eckert H.: Chem. Mater. 6 (1994) 306.
• [14] Walkiewicz-Pietrzykowska A., Wróbel A. M., Kryszewski M.: Polish J. Chem. 71 (1997) 1831-1840.
• [15] Wróbel A. M., Walkiewicz-Pietrzykowska A., Aoki T., Hatanaka Y., Szumilewicz J., J. Electrochem. Soc. 145 (1998) 1060-1065.
• [16] Wróbel A. M., Błaszczyk I,. Walkiewicz-Pietrzykowska A., Tracz A., Klemberg-Sapieha J. E., Aoki T., Hatanaka Y.: J. Mater.Chem 13 (2003) 731-737.
• [17] Oliver W. C., Pharr, G. M. J.: Mater. Res. 7 (1992) 1564.
• [18] Anderson D. R.: Analysis of silicones. red. A. L. Smith, Wiley-Interscience, New York (1974) rozdz. 10.
• [19] Delplancke M. P., Powers J. M., Vandentop G. J., Salmeron M., Somorjai G. A.: J. Vac. Sci. Technol. A 9 (1990) 450.
• [20] Tsai H. K., Lin W. L., Sah W. J., Lee S. C.: J. Appl. Phys.64 (1988) 1910.
• [21] Riedel R.: Adv. Mater. 6 (1994) 549.