Mikrostruktura i właściwości skrawne kompozytu diament /WC

• Autorzy: Michalski A. , Rosiński M. , Grobelny T.

Warianty tytułu

EN

Microstructure and cutting ability of diamond /WC composite

• Konferencja: Inżynieria Powierzchni, INPO 2008 ( VII; 02-05.12.2008; Wisła-Jawornik, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Kompozyt diament/WC6Co na podłożu z węglika spiekanego WC10Co spiekano w warunkach nietrwałości termodynamicznej diamentu metodą PPS (Pulse Plasma Sintering). Spieki otrzymywano w jednym procesie w temperaturze 1100°C pod naciskiem 75 MPa przez 10 min. Specyficzne warunki spiekania silnoprądowymi impulsami pozwoliły uniknąć grafityzacji diamentu i uzyskać gęste spieki charakteryzujące się silnym wiązaniem pomiędzy diamentem a osnową z WC6Co. Twardość kompozytu diament/WC6Co wynosi ok. 2100 HV1, a podłoża z WC10Co ok. 1800 HV1. Zużycie ostrzy ze spieku diament/WC6Co w obróbce skrawaniem materiałów drewnopochodnych jest ok. 4 razy mniejsze niż ostrzy z węglika spiekanego.

EN

The diamond/WC6Co composite produced on a sintered carbide WC10Co substrate was sintered under the conditions of thermodynamic instability of diamond by PPS (Pulse Plasma Sintering) method. The sinters were obtained during one sintering process at a temperature of 110°C under a load of 75 MPa for 10 min. The specific sintering conditions which exist in the presence of high-current electric pulses permitted to avoid graphitization of diamond. It caused obtaining dense sinters with strong bound between the diamond particles and WC6Co matrix. The hardness of the diamond/WC6Co composite was about 2100 HV1 and WC10Co substrate was about 1800 HV1. The wear of the milling cutter edges with diamond/W6Co sinter in machining of melamine faced boards is 4 times lower than those of sintered carbide.

Słowa kluczowe

PL

kompozyt diament /WC6Co; spiekanie; właściwości skrawne kompozytu diament/WC; metoda PPS

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 29, nr 6
• Strony: 615--618
• Opis fizyczny: Bibliogr. 18 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Michalski A.

autor

Rosiński M.

autor

Grobelny T.

• Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej,

Bibliografia

• [1] Wolf M., Dreher R: Ind Diamond Rev. 41 (5) (1981) 254.
• [2] Herbert S.: Ind. Diamond Rev. 47 (3) (1987) 100.
• [3] Jennings M., Ind. Diamond Rev. 49 (3) (1989) 150.
• [4] Caroline J. E. Andrewes, Hsi-Yung Feng, Lau W.M.: Journal of Materials Processing Technology 102 (2000) 25.
• [5] Hooper R. M.., Henshall J. L., Klopfer A.: International Journal of Refractory Metals & Hard Materials 17 (1999) 103.
• [6] D’Errico G. E., Calzavarini R., Mater J.: Proc. Techn. 119 (2001) 257.
• [7] Glmeir W. K.: Ind. Diamond Rev. 38 (11) (1978) 395.
• [8] Schimmel P.: Ind. Diamond Rev. 42 (6) (1982) 348.
• [9] Uspenskaya K C., Tomashev U. N, Fedoceev D. V. J.: Phys Chem 56 (1982) 495 (Russian).
• [10] Fedoseev D. V., Buhovest V. L., Vnukov S. P.: Surface 1(1980) 92 (Russian).
• [11] Cha S. I., Hong S. H., Kim B. K.: Mater Sci Eng. A351(2003) 31.
• [12] Feng P., Xiong W., Yu L., Zheng Y., Xia Y.: Int J Refractory Met Hard Mater 22 (2004) 133.
• [13] Zhu L. H., Huang Q. W., Zhao H. F. J.: Mater Sci Letter 22 (2003)1631.
• [14] Groza J. R., Zavaliangos A.: Adv Mater Sci. 5 (2003) 24.
• [15] Groza J. R., Zavaliangos A.: Mater Sci Eng A287 (2000) 171.
• [16] Moriguchi H., Tsuduki K., Ikegaya A., MiyamotoY., Morisada Y.: Int J Refractory Met Hard Mater. 25 (2007) 237.
• [17] Shi X. L., Shao G. Q., Duan X. L., Xiong Z., Yang H.: Diamond Related Mater. 15 (2006) 1643.
• [18] Solin S. A., Ramdas A. K.: Phys Rev B 19 (1970) 1687.