Właściwości ciennkich warstw węgloazotka krzemu wytwarzanych w selektywnym procesie plazmowym CVD

• Autorzy: Wróbel A. M. , Błaszczyk-Łężak I. , Walkiewicz-Pietrzykowska A.

Warianty tytułu

EN

Properties of thin silicon carbonitride films produced in remote plasma CVD process

• Konferencja: Ogólnopolska Konferencja "Nowoczesne Technologie w Inżynierii Powierzchni" (III; 3-6.10.2006; Łódź-Spała, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Cienkie warstwy węgloazotka krzemu były wytwarzane z nowego unikatowego prekursora krzemoorganicznego, l,3-bis(dimetylosililo)-2,2,4,4-tetrametylocyklodisilazanu, w selektywnym procesie plazmowym CVD, w którym do generowania plazmy stosowano wodór. Warstwy były nanoszone na polerowane płytki krystalicznego krzemu użyte jako podłoża modelowe. Przedstawiono rezultaty badań nad wpływem temperatury podłoża na strukturę chemiczną, morfologię powierzchni, właściwości fizyczne i mechaniczne (gęstość, adhezja, twardość, moduł sprężystości, współczynnik tarcia) nanoszonych warstw.

EN

Silicon carbonitride thin films were produced from l,3-bis(dimethylsilyl)-2,2,4,4-tetramethylcyclodisilazane in remote plasma chemical vapor deposition process using hydrogen for plasma generation. The films were deposited on the polished crystalline silicon wafers used as the model substrates. The effect of substrate temperature on the chemical structure, surface morphology, physical and mechanical properties (density, adhesion, hardness, elastic modulus, friction coefficient) of the deposited films is reported.

Słowa kluczowe

PL

warstwy węgloazotku krzemu; właściwości fizyczne i mechaniczne; wpływ temperatury podłoża na strukturę; selektywny proces plazmowy CVD

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 27, nr 5
• Strony: 1275--1277
• Opis fizyczny: Bibliogr. 20 poz., rys.

Twórcy

autor

Wróbel A. M.

autor

Błaszczyk-Łężak I.

autor

Walkiewicz-Pietrzykowska A.

• Wróbel, A. M. - Centrum Badań Molekularnych i Makromolekularnych, PAN,

Bibliografia

• [1] Riedel R., Kleebe H., Schonfelder H., Aldinger F.: Naturę, 1995, 374, 526.
• [2] Badzian A., Badzian T., Drawl W. D., Roy R.: Diamond Relat. Mater., 1998, 7, 1519.
• [3] Bae Y. B., Du H., Gallois B., Gonsalves K. E., Wilkens B. J.: Chem. Mater., 1992, 4, 478.
• [4] Besling W. F. A., Goossens A., Meester B., Schoonman J.: J. Appl. Phys., 1998, 83, 544.
• [5] Korevaar G., Besling W., Goossens A., Schoonman J.: J. Phys. IV, 1999, 9, 763.
• [6] Kuo D. H., Yang D. G.: Thin Solid Films, 2000, 374, 92.
• [7] Marx G., Korner K. U., Hager P.: Steel Res., 2001, 72, 518.
• [8] Zhou Y., Probst D., Thissen A., Kroke E., Riedel R., Hauser R., Hoche H., Broszeit E., Kroił P., Stafast H.: J. Eur. Ceram. Soc., 2006, 26, 1325.
• [9] Fainer N. L, Rumyantsev Y. M., Kosinova M. L., Yurjev G. S., Maximovski E. Kuznetsov A., F. A.: Appl. Surf. Sci., 1997, 114, 614.
• [10] Fainer N. L, Kosinova M. L., Rumyantsev Y. M., Kuznetsov F. A.: J. Phys. IV, 1999, 9, 769.
• [11] Kosinova M. L., Fainer N. L, Rumyantsev Y. M., Terauchi M., Shibata K., Satoh F., Kuznetsov F. A.: J. Phys. IV, 2001, 11, 987.
• [12] Bieliński D., Wróbel A. M., Walkiewicz-Pietrzykowska A.: Tribol. Lett., 2002, 13, 71.
• [13] Wróbel A. M., Błaszczyk L, Walkiewicz-Pietrzykowska A., Tracz A., Klemberg-Sapieha J. E., Aoki T., Hatanaka Y.: J. Mater. Chem., 2003, 13, 731.
• [14] Wróbel A. M., Błaszczyk-Łężak L, Walkiewicz-Pietrzykowska A., Bieliński D. M., Aoki T., Hatanaka Y.: J. Electrochem. Soc. 2004, 151, C723.
• [15] Błaszczyk-Łężak L, Wróbel A. M., Kivitorma M. P. M., Vayrynen, I. J.: Chem. Vap. Deposition, 2005, 11, 44.
• [16] Błaszczyk-Łężak L, Wróbel A. M., Aoki T., Nakanishi Y., Kucińska L, Tracz A.: Thin Solid Films, 2006, 497, 24.
• [17] Błaszczyk-Łężak L, Wróbel A. M., Bieliński D. M.: Thin Solid Films, 2006, 497, 35.
• [18] Fink W.: J. Paint Technol., 1970, 42, 220.
• [19] Oliver W. C., Pharr G. M.: J. Mater. Res., 1992, 7, 1564.
• [20] Riedel R.: Adv. Mater., 1994, 6, 549.