Naprężenia własne termiczne w spajanych leementach ceramiki AIN z miedzią.

• Autorzy: Kaliński D. , Olesińska W.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono niektóre wyniki numeryczne analizy (MES) - metoda elementów skończonych naprężeń własnych w podłożach CU-AIN otrzymywanych metodą spajania bezpośredniego. Obliczenia przeprowadzono w układzie symetrycznym Cu-Ain-Cu i asymetrycznym Cu-AIN, dla typowych grubości materiałów stosowanych w tego typu modułach. Podłoża takie wykorzystuje się do montażu struktur pólprzewodnikowych w elektronice i optoelektronice. Można je otrzymać metodą (CDB) - matoda spajania bezpośredniego, bądź techniką lutowania ceramiki metalizowanej z płytkami miedzianymi. Jednym z ważniejszych problemów w praktyce produkcyjnej i eksploatacyjnej tego typu ceramiczno-metalowych modułów (podłoży) jest generowanie się w nich naprężeń własnych termicznych powodujących odkształcanie podłoży wynikających m.in. z różnicy właściwości łączonych materiałów. Znajomość wielkości i rozkładu naprężeń własnych umożliwia dobór parametrów konstrukcyjnych układów wolnych od naprężeń.

EN

FEM - the finite element method was used to determine the thermal residual stresses in direct bonding (CDB - copper direct bonding method) Cu-AIN-Cu substrates. Such layered substrates are used in electronics and optoelectronics to assemble semiconductor structures. These substrates are subjected to residual stresses due to thermal expansion mismatch between Ain ceramic and copper. Theses stresses epend on the properties of the joining materials and configuration of the system as well. The thermal resuidal stresses can lead to deformation of ceramic-metal substrates. The calculations of residual streses were performed on symmetrical (Cu-AIN-Cu) and asymmetric (Cu-AIN) arrangement of the substrates, for typical thickness of materials used in these types of modules. Knowing the value and distribution of the residual streses in the substrates we can modify their construction (thickens of parts e.g.) in order to diminish the stress level.

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2000
• Tom: T. 28, nr 3
• Strony: 50--62

Twórcy

autor

Kaliński D.

autor

Olesińska W.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, 01-919 Warszawa, ul. Wólczyńska 133,