Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
Opracowaną rentgenowską metode badania składu chemicznego wielowarstwowych czteroskładnikowych kryształów związków półprzewodnikowych z zastosowaniem szybkich algorytmów obliczania rentgenowskiego profilu dyfrakcyjnego. Metodę zastosowano do wyznaczania profilu składu chemicznego w kierunku wzrostu supersieci InGaAsP/InP wytworzonych metodą MOCVD na podłożu InP o orientacji 001.
The method of investigation of the chemical composition for quaternaryheterostructures has been developed. To this end X-ray high resolution diffractomeryand RBS methods were applied. This method consists in finding a best fit between experimental diffraction pattern and theoretical one calculated, employing Darwin dynamical diffraction theory for a given model of heterostructure. This procedure was applied to determine the chemical profile in the growth direction for InGaAsP/InP superlattices that were grown by MOCVD technology on 001 InP substrate.
Słowa kluczowe
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
20--49
Opis fizyczny
Twórcy
autor
autor
autor
autor
- Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, 01-919 Warszawa, ul. Wólczyńska 133, wojcik-m@sp.itme.edu.pl
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPL6-0001-0005