Method and measurement system for dc characteristics measurement of power diodes in very wide current range

• Autorzy: Cichosz J. , Szewczyk A. , Stawarz-Graczyk B.

Warianty tytułu

PL

Metoda i system pomiarowy do pomiaru charakterystyk stałoprądowych diod w bardzo szerokim zakresie prądów

• Konferencja: GDAŃSKIE DNI ELEKTRYKI (XXXVII ; 11-12.10.2012 ; Gdańsk, Polska)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The new measurement set-up of DC characteristics of power diodes measurements was presented. Authors proposed to organize measurements in a pulse manner, because in typical method junction temperature of power diodes under test during measurements increase. The system elaborated on the base of method for measuring DC in a very wide current range which utilizes modified R-2R resistor ladder (short-circuit keys instead of switching keys) was constructed. The measurement system is controlled by the computer with LabView application that allows to apply measurement procedure in a very short time.

PL

W artykule przedstawiono nowy układ pomiarowy do pomiarów stałoprądowych charakterystyk diod. Autorzy zaproponowali układ do pomiarów impulsowych w celu zachowania niezależności wyników od zmian temperatury diody. Do wytworzenia odpowiednio dużej liczby punktów pomiarowych wartości prądu wykorzystano układ zmodyfikowanej drabinki R-2R) z pojedynczymi kluczami sterującymi. Do sterowania system pomiarowym wykorzystano specjalnie opracowaną aplikację w środowisku LabView.

Słowa kluczowe

EN

SiC power diode; measurement; DC characteristic

PL

diody SiC; pomiary; charakterystyka stałoprądowa

• Wydawca: Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Rocznik: 2012
• Tom: Nr 31
• Strony: 41--44
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Cichosz J.

autor

Szewczyk A.

autor

Stawarz-Graczyk B.

• Gdansk University of Technology, Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics Department of Metrology and Optoelectronics, 11/12 G. Narutowicza Street, 80-233 Gdansk, Poland,

Bibliografia

• 1. Cree Technical Data http://www.cree.com
• 2. Infineon Technical Data http://www.infineon.com
• 3. Cichosz J., Szewczyk A. and Stawarz-Graczyk B.: The idea and the system for semiconductor devices DC characteristics measurements, especially for high power semiconductor junctions of electronic devices (in Polish), Biuletyn Urzędu Patentowego, 12/2012, Warszawa, pp. 36-37, ISSN-0137-8015
• 4. Pyo S., Sheng K.: Junction temperature dynamics of power MOSFET and SiC diode, Proc. Power Electronics and Motion Control Conference, 2009, pp 269-273