Badania temperaturowe fotodektorów UV z węglika krzemu

• Autorzy: Ćwirko J. , Ćwirko R.

Warianty tytułu

EN

Temperature examinations of UV photodetectors from the silicon carbide

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Detektory UV są stosowane w pracach badawczych, przemyśle i aplikacjach wojskowych oraz w systemach bezpieczeństwa. Fotodetektor jest podstawowym elementem każdego czujnika promieniowania i decyduje o jego podstawowych parametrach. W artykule przedstawiono badania nad zależnością charakterystyk detektorów UV wykonanych z SiC od długotrwałego wygrzewania w podwyższonej temperaturze.

EN

UV detectors are applied in research works, the industry and applications of military and in security systems. The photodetector is a basic component of every sensor of the radiation and is deciding on his basic parameters. In the article a research on the relation of characterizations of UV detectors made from SiC from long-term warming up in the high temperature was described.

Słowa kluczowe

PL

fotodetektory SiC; badania temperaturowe; pomiary widmowe

EN

temperature examinations; UV photodetectors; silicon carbide

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Poznański Instytut Technologiczny
• Czasopismo: Logistyka
• Rocznik: 2011
• Tom: nr 6
• Opis fizyczny: Pełny tekst na CD, Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Ćwirko J.

autor

Ćwirko R.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych, Polska; 00-908 Warszawa; gen. S. Kaliskiego 9.Tel: [phone],

Bibliografia

• [1] Hari Sing Nalwa – editor, Photodetectors and Fiber Optics.Academic Press, 2001, ISBN 0-12-513908-X
• [2] Shur M. S. (editor), Zakauskas A. (editor). UV Solid-State Light Emitters and Detectors. NATO Science Series. Series II, vol. 144. ISBN 1-4020-2103-8 (e-book)
• [3] www.thorlabs.com. Detectors. Calibrate Photodiodes
• [4] Dahay R. i in. AIN MSM and Schottky Photodetectors. Phys. Stat. Solid. © 5, no. 6, 2145-2153 (2008)
• [5] Omnes F, Manroi E. Ultraviolet Photodetectors. Optoelectronics Sensor. (2010), pp. 181-222
• [6] Liu H-D. i in. Demonstration of Ultraviolet 6H-SiC PIN Avalanche Photodiodes. IEEE Photonics Technology Letters, vol. 18. No. 23, December 1, 2006, pp. 2508-2510
• [7] Liu H. i in. 4H-SiC PIN Recessed-Window Avalanche Photodiode with High Quantum Efficency. Photonics Technology Letters, IEEE, vol. 20, issue 18, 2008, pp. 1551-1553
• [8] Chang W-R. i in. The hetero-Epitaxial SiCN/Si MSM Photodetector fot High-Temperaturre Deep-UV Detecting Applications. IEEE Electron Device Letters, vol. 24, No. 9 , September 2003, pp. 565-567