Model for RTS noise in submicron MOSFETs

• Autorzy: Šikula J. , Sedláková V. , Pavelka J. , Navarová H. , Chvátal M. , Kopecký M.

Warianty tytułu

PL

Model szumu RTS w submikronowych tranzystorach MOSFET

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper presents a model for RTS noise in submicron MOSFETs which can explain some of complex switching phenomena being measured in nanoscale devices. A modified two-step approach is proposed. The charge carrier quantum transitions represent a primary process X(t), which involves two or three quantum states. The measurable quantity is the current modulation, which has discrete states and is represented by a secondary process Y(t). From the dependence of the capture time constant c on the drain current we can calculate x-coordinate of the trap position.

PL

W pracy przedstawiono model szumu RTS w submikronowych tranzystorach MOSFET, który może wyjaśnić niektóre ze złożonych zjawisk przełączania obserwowanych w przyrządch o nanoskali. Zaproponowano zmodyfikowane podejście dwu etapowe. Kwantowe przejścia nośników ładunku reprezentują pierwotny proces X(t) o dwóch lub trzech stanach kwantowych. Wielkością mierzalną jest modulacja prądu o stanach dyskretnych, reprezentujaca proces wtórny Y(t). Na podstawie zależności stałej czasowej pułapkowania c od prądu drenu można wyznaczyć współrzędną x położenia pułapki.

Słowa kluczowe

EN

model for RTS noise; submicron MOSFETs

PL

model szumu RTS; submikronowe tranzystory MOSFET

• Wydawca: Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
• Rocznik: 2010
• Tom: T. 18
• Strony: 409--414
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys.

Twórcy

autor

Šikula J.

autor

Sedláková V.

autor

Pavelka J.

autor

Navarová H.

autor

Chvátal M.

autor

Kopecký M.

• Brno University of Technology, Department of Physics

Bibliografia

• [1] Kirton M. J., Uren M. J.: Noise in Solid-State Microstructures: A New Perspective on Individual Defects, Interface States, and Low-Frequency Noise, Adv. in Phys.,38 (1989) 367.
• [2] Celik–Butler Z., Amarasinnghe N. V.: Random Telegraph Signals in Deep Submicron Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors, Noise and Fluctuation Control in Electronic Devices, ed. by A. A. Balandin pp.187–199, ASP (2002).
• [3] Ghibaudo G., Boutchacha T.: Electrical noise and RTS fluctuations in advanced CMOS devices, Microelectronics Reliability, vol. 42, p. 573582, (2002).
• [4] Sikula J., Pavelka J., Sedlakova V., Tacano M., Hashiguchi S., Toita M.: RTS in submicron MOSFETs and quantum dots, Proc. of the Int. Conf. " Noise and Information in Nanoelectronics, Sensors, and Standards II. ed. by SPIE (2004).
• [5] Mueller H. H., Schulz M.: Statistics of random telegraph noise in sub-m MOSFETs. Proc. of the Int. Conf. "Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations", ed. by C. Clayes and E Simoen, IMEC, Leuven, Belgium. p. 195 (1997).
• [6] Sikula J. et al.: RTS in Submicron MOSFETs: Lateral Field Effect and Active Trap Position, Proc. of the Int. Conf. "Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations", ed. by M. Macuci, Pisa Italy p. 203 (2009).