Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC

• Autorzy: Cichosz J. , Stawarz-Graczyk B. , Szewczyk A.

Warianty tytułu

EN

Estimation of the correlation between the gate and drain current noise sources in SiC MESFET

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną dla tych samych przebiegów funkcją koherencji (dziedzina częstotliwości).

EN

In the paper the method of fast estimation of correlation between gate current and drain current noise of SiC MESFET's was presented. The investigations were carried out on MESFET type CRF24010 (CREE). The correlation was estimated in the low frequency range (2 Hz ÷ 2 kHz), for three values of drain current: Id = 1; 5; 10 mA. The results of correlation estimation (time domain) were compared with the results of coherence function estimation (frequency domain).

Słowa kluczowe

PL

źródła prądowe; tranzystor MESFET SiC

EN

drain current noise sources; SiC MESFET

• Wydawca: Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
• Rocznik: 2010
• Tom: T. 19
• Strony: 459--464
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., rys.

Twórcy

autor

Cichosz J.

autor

Stawarz-Graczyk B.

autor

Szewczyk A.

• Politechnika Gdańska Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych

Bibliografia

• [1] Cree Incorporated, USA http://www.cree.com/
• [2] Konczakowska A., Cichosz J. A., Szewczyk A.: The low-frequency noise behaviour of SiC MESFETs, artykuł zgłoszony do druku w Fluctuations and Noise Letters, marzec 2010.
• [3] Konczakowska A., Cichosz J. A., Szewczyk A.: A new method for RTS noise of semiconductor devices identification, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. Vol. 57, no 6, 2008.