Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET

• Autorzy: Kordalski W. , Boratyński B. , Panek M. , Polowczyk M. , Zborowska-Lindert I. , Ściana B. , Szymański K. , Woźniak J.

Warianty tytułu

EN

An HSD-MAGFET analytical DC model

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawiska podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prądy drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie funkcji podziału prądu źródła tranzystora.

EN

An analytical self-consistent DC model of a horizontally split-drain magnetic field-effect transistor (HSD MAG-FET) bas been elaborated. The MAGFET-type sensors ale known and valued because of their high magnetic field sensitivity and high measurement spatial resolution. The proposed model takes into account a phenomenon of the source current division into two drain terminal currents. In the model, a mathematical function of the transistor current splitting, based on the drain currents magnitudes, ID1 and ID2 dependency on the drain bias voltages, VDS1 and VDS2 is introduced and explained.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor typu HSD MAGFET; czujniki pola magnetycznego; zmiany pola magnetycznego

EN

transistor HSD MAGFET; magnetic field sensitivity

• Wydawca: Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
• Rocznik: 2007
• Tom: T. 14
• Strony: 665--674
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys.

Twórcy

autor

Kordalski W.

autor

Boratyński B.

autor

Panek M.

autor

Polowczyk M.

autor

Zborowska-Lindert I.

autor

Ściana B.

autor

Szymański K.

autor

Woźniak J.

• Katedra Systemów Mikroelektronicznych, Politechnika Gdańska

Bibliografia

• [1] Popović R.S., Baltes H.P.: A CMOS Magnetic Field Sensor, IEEE J. of Solid-State Circuits, Vol. SC-18, No.4, 1983.
• [2] Baltes H.P., Popović R.S.: Integrated Semiconductor Magnetic Field Sensor, Proceedings of the IEEE, Vol. 74, No 8, 1986 pp. 1107-1 132.
• [3] Kordalski W., Polowczyk M., Czerwiński J., Dzierżko J. Dobrzański L: Urządzenie do pomiaru i/lub detekcji pola magnetycznego, Zgłoszenie patentowe P346093 z dnia 22.02.2001r.
• [4] Kordalski W., Polowczyk M.: Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego, Kongres Metrologii. Wrocław, 2004, Vol. II, s. 347-350.
• [5] Liu S. L, Wei J. F. and Sung G. M.: SPICE macro model for MAGFET and its applications, IEEE Trans. on Circuits and System-II: Analog and Dig. Signal Processing, vol. 46, no 4, pp. 370-375, Apri11999.
• [6] Yamaguchi K.: Field-Dependent Mobility Model for Two-Dimensional Numerical Analysis of MOSFET's, IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. ED-26, No 7, 1979.
• [7] Selberherr S.: Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, Wien, Springer-Verlag, 1984.
• [8] Kordalski W., Włodarczak K. Szymański K.: Stałoprądowy model tranzystora MOS dla zakresu przed- i nad progowego, Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, Nr 4, Seria: Technologie Informacyjne, t. 9,2006, str. 123-132.
• [9] Sze S. M.: Physics of semiconductor devices, John Wiley and Sons, New York, 1981.