A current - controlled FET

• Autorzy: Kordalski W.

Warianty tytułu

PL

Tranzystor polowy sterowany prądem

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenom-ena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated to low-power and low-voltage integrated circuit applications and besides it can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. As an element of analog integrated circuits, it can be applied to realize, e.g., a potential-free current amplifier, an operational potential-free current amplifier (scaling, summation, subtracting, differentiating, and integrating), and a voltage-current multiplier.

PL

W pracy zaproponowano nowy przyrząd półprzewodnikowy, mianowicie prądowo sterowany tranzystor polowy z izolowaną bramką zawierający dwa poziomo dzielone dreny (płaszczyzna podziału drenów jest równoległa do powierzchni półprzewodnika). Zasada działania tranzystora oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych, zjawisku łagodnego odrywania się kanału i prawie Biota-Savarta-Laplace'a. Pracą przyrządu można sterować jednocześnie za pomocą dwóch elektrod - prądowej i napięciowej. Zaproponowano także zastosowania nowego tranzystora jako elementu wybranych bloków analogowych układów scalonych.

Słowa kluczowe

EN

CCFET; potential-free current amplifier; voltage-current multiplier cell

PL

tranzystor polowy; prawo Biota-Savarta-Laplace'a; analogowy układ scalony

• Wydawca: Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
• Rocznik: 2007
• Tom: T. 14
• Strony: 635--647
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys.

Twórcy

autor

Kordalski W.

• Gdansk University of Technology, Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics

Bibliografia

• [1] Baltes H. and Popovic R.: Integrated semiconductor magnetic field sensor, Proceedings of the IEEE, vol. 74, no. 8, pp. 1107-1 132, Aug. 1986.
• [2] Popovic R. and Baltes H.: A CMOS Magnetic Field Sensor, IEEE J. of Solid-State Circuits, vol. SC-18, no.4, pp. 426-428, Apri11983.
• [3] Selberherr S.: Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, Wien, Springer-Verlag, 1984.
• [4] Yamaguchi K.: Field-dependent mobility model for two-dimensional numerical analysis of MOSFETs, IEEE Trans. on Electron Devices, vol. ED-26, no 7, pp. 1068-1074, July 1979.
• [5] Tomaszewski D. and Kordaiski W.: Simulation with the use of ATLAS (Silvaco Int., 1998), unpublished.
• [6] Kluge J. W. A. and Langheirich W. A.: An analytical model of MAGFET sensitivity including secondary effects using a continuous description of the geometric correction factor G, IEEE Trans. on Electron Devices, vol. ED-46, no 1, pp. 89-95, Jan. 1999.
• [7] Liu S. L, Wei J. F. and Sung G. M.: SPICE macro model for MAGFET and its applications, IEEE Trans. on Circuits and System-II: Analog and Dig. Signal Processing, vol. 46, no 4, pp. 370-375, April1999.
• [8] Rodriguez-Torres R., Klima R, Selberherr S. and Gutierrez E. A.: "Three-dimensional analysis of a MAGFET at 300 Kand 77 K, in 2002 Proc. of the European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 2002, pp.151-154.
• [9] Li Z. Q. and Sun X. W.: A CMOS differential tesla-volt multiplier cell, IEEE Electron Device Letters, vol. 25, no 5, May 2004.