Admitancja wejściowa i transadmitancja mosfeta w zakresie b.w.cz.

• Autorzy: Kordalski W. , Stefański T.

Warianty tytułu

EN

Input admittance and transadmmitance of the MOSFET for very high frequencies

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Bazując na nowym, nie quasi-statycznym modelu mało sygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.

EN

Some results of an analysis of the input admittance and transadmittance of the MOSFET operating over very high frequency range are presented. The results are derived from a novel non-quasi-static small-signal MOSFET model, and are confirmed by experimental verification.

• Wydawca: Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
• Rocznik: 2004
• Tom: T. 5
• Strony: 825--832
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., 3 rys.

Twórcy

autor

Kordalski W.

• Katedra Systemów Mikroelektronicznych, Politechnika Gdańska

autor

Stefański T.

• Centrum Techniki Morskiej, Gdynia

• Katedra Systemów Mikroelektronicznych, Politechnika Gdańska

Bibliografia

• [1] Enz C. C, Cheng Y.: MOS Transistor Modelling for RF IC Design, IEEE Trans, on Solid-State Circuits, Vol.35, No.2, 2000, pp. 186-201.
• [2] Sallese J. M., Porret A. S.: A Novel Approach to Charge-Based Non-Quasi-Static Model of the MOS Transistor Valid in all Modes of Operation, Solid-State Electronics, Vol.44 (2000) pp. 887-894.
• [3] Manku T.: Microwave CMOS-Device Physics and Design, IEEE J. of Solid-State Circuits, Vol.34, No.3, 1999, pp. 277-285.
• [4] Sung R. et. al.: Extraction of High-Frequency Equivalent Circuit Parameters of Submicron Gate-Length MOSFETs, IEEE Trans, on Electron Devices, Vol.45, No.8, 1998, pp. 1769-1775.
• [5] Chan M. et. al.: A Robust and Physical BSIM3 Non-Quasi-Static Transient and AC Small-Signal Model for Circuit Simulation, IEEE Trans, on Electron Devices, Vol.45, No.4, 1998, pp. 834-841.
• [6] Kordalski W.: An Injection Non-Quasi-Static Small-Signal MOSFET Model, International Conference on Signals and Electronic Systems, 17-20 October 2000, 2000, Ustroń, Poland.
• [7] Kordalski W., Stefański T.: A Non-Quasi-Static Small-Signal MOSFET Model for Radio and Microwave Frequencies Including Spreading Gate Resistances and Capacitances, Proceedings of the 2003 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, Philadelphia, PA, June 8-10, 2003, pp.365 -368.