GMR - gigantyczny magnetoopór

• Autorzy: Tumański S.

Warianty tytułu

EN

GMR - the giant magnetoresistance

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy opisano zjawiska magnetorezystancyjne występujące w cienkowarstwowych strukturach wielowarstwowych. Opisano następujące zjawiska - gigantyczny magnetoopór w układach wielowarstwowych GMR, zawór spinowy -SV, tunelowe zjawisko magnetorezystancyjne- TMJ. Przedstawiono podstawowe zastosowania zjawiska GMR - jako głowice odczytowe, elementy pamięciowe MRAM, czujniki pola magnetycznego, przetworniki elektryczne.

EN

The magnetoresistive effects in thin film multilayer structures were described. The following effects have be en described - GMR effect in thin Iii m multilayers, spin valve SV effect and magnetic tunnel junction MT J. The most important applications of the GMR effects were presented - as the read heads, as the memory MRAM elements, as magnetic field sensors and as electrical transducers.

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2002
• Tom: R. 78, nr 5
• Strony: 121--125
• Opis fizyczny: Bibliogr. 24 poz., 12 rys.

Twórcy

autor

Tumański S.

• Politechnika Warszawska, Instytut Elektrotechniki Teoretycznej i Miernictwa Elektrycznego

Bibliografia

• [1] Вaibiсh M.N. i inni: Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices, Phys. Rew Lett., 61 (1988), 2472-2475.
• [2] Specjalny numer IBM.J. Res. Develop. poświęcony zjawisku GMR, 42 (1998)
• [3] Tumański S: Thin film magnetoresistive sensors, IOPPubl.,2000.
• [4] Specjalny numer Physics Today poświęcony elektronice spinowej, nr 5 (1995).
• [5] Jin S. i inni: Colossal magnetoresistance in La_Ca-Mn-0 ferro- magneticthin tilms, J. Appl. Phys., 76 (1994), 6929-6933.
• [6] Comstock R. I.: Magnetism and magnetic recording, John Wiley, 1999.
• [7] Hunt R.P.: Magnetoresistive head, USPatent3493-694(1970).
• [8] Mallinson J.C.: Magnetoresistive and spin-valve heads, Academic Press, 2002.
• [9] Weller D.: Extremely high density magnetic recording media, Referat na konferencji JEMS, Grenoble, 2001.
• [10] Nаlwa H.S.: Magnetic nanostructures, ASP, 2002.
• [11] Hartmann U.: Magnetic multilayers and giant magnetoresistance,Springer, 2000.
• [12] White R.L.: Giant magnetoresistance: a primer, IEEE Trans. Magn., 28 (1992), 2482-2486.
• [13] Schad R.: Giant magnetoresistance in Fe/Cr superlattices with very thin Fe layer, Appl. Phys. Lett., 64 (1994), 3500-3502.
• [14] Dieny B.: Spin valve effect in soft ferromagnetic sandwiches, J. Magn. Magn. Mat., 93 (1991), 101-104.
• [15] Egelhoff W. F. i inni: Magnetoresistance values exceeding 21% insymmetricspin valves, J. Asppl. Phys., 78 (1995), 273-277.
• [16] Zhu J. G.: Spin vale and dual spin valve heads with synthetic antiferromagnets, IEEE Trans. Magn., 35 (1999), 655-660.
• [17] Slonczewski J.C.: Conductance and exchange coupling of two ferromagnets separated by a tunneling barrier, Phys. Rev., B39 (1989), 6995-7002.
• |18] Fontana R. E. i inni: Process considerations for critical features in high areał density thin film magnetoresistive heads, IEEE Trans. Magn., 35 (1999), 806-811.
• [19] Ruigrok J. J. М.: Design of thin film tape heads, Philips J.Res., 51 (1998), 21-57.
• [20] Tehrani S.: High density submicron magnetoresistive random access memory, J. Appl. Phys., 85(1999), 5822-5827.
• [21] Parkin S. S. Р.: Exchange-biased magnetic tunnel junction and application to nonvolatile magnetic random access memory, J. Appl. Phys., 85(1999), 5828-5833.
• [22] Nonvolatile Electronics, http:www.nve.com
• [23] Hermann Т. M.: Magnetically coupled linear isolator, IEEE Trans. Magn., 33 (1997), 4029-4031.
• [24] Czapkiewicz М.: Badania zjawisk galwanomagnetycznych w strukturach wielowarstwowych metali przejściowych pod kątem zastosowania na detektory i głowice magnetyczne, Praca doktorska, 1999.