Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
The inductance of on-chip interconnections is usually neglected in simulation of CMOS circuits behaviour. This assumption becomes not valid for modern technologies with higher frequency and greater parasitic RLC parameters of interconnections. This paper describes briefly the model of interconnection and presents the method for R, L parameter calculating in the range of frequency suitable for VLSI CMOS circuits. The calculated values are used for simulating the inductive effects in IC's. The significance of the on-chip interconnection inductance is discussed.
Słowa kluczowe
Rocznik
Tom
Strony
353--361
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., 6 rys.
Twórcy
autor
- Institute of Microelectronics and Optoelectronics, University of Technology, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Poland.
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPG5-0002-0060