Multiple-input floating-gate MOS transistor in analogue electronics circuit

• Autorzy: Topór-Kamiński L. , Holajn P.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Conceptions of analogue electronics circuit based on a multiple-input floating gate field-effect transistor MOS (MIFGMOS) have been presented. The simple add and differential voltage amplifiers with one and two MIFGMOS transistors and multiple-input operational amplifiers with their application have been proposed. One of them was used for the realisation of a controlled floating resistor. Results of circuit simulations in SPICE programme using the simple substitute macromodel of MIFGMOS transistor have been shown.

Słowa kluczowe

EN

analytical solutions; analogue amplifier; voltage controlled resistor; multiple-input operational amplifier

• Wydawca: Polska Akademia Nauk, Wydział IV Nauk Technicznych
• Czasopismo: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 52, nr 3
• Strony: 251--256
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., 12 rys.

Twórcy

autor

Topór-Kamiński L.

• Institute of Measurements and Automatic Control in Electrical Engineering, Silesian University of Technology, 10 Akademicka St., 44–100 Gliwice, Poland

autor

Holajn P.

• Institute of Theoretical and Industrial Electrotechnics, Silesian University of Technology, 10 Akademicka St., 44–100 Gliwice, Poland

Bibliografia

• [1] Y. Berg, O. Naes and M. Hovin, “Ultralow-voltage floatinggate transconductance amplifier”, IEEE International Symposium on Circuits and Systems, III, 347–350 (2000).
• [2] IEEE Trans. on CAS-II. Special issue on floating-gate devices, circuits, and systems, No. 1, January 2001.
• [3] L. Topór-Kamiński, „Komputerowa symulacja układów z tranzystorami MOS ze swobodną bramką”, VI Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice, Poznań, 2001.
• [4] L. Topór-Kamiński, „Proste wzmacniacze napięciowe z tranzystorami MOS o bramce swobodnej”, XXIV IC-SPETO, 409–414 (2001).
• [5] J. J. Chen, S. I. Liu and Y. S. Hwang, “Low-voltage single power supply four-quadrant multiplier using floating-gate MOSFETs”, IEE Proc.-Ciscuits Devices Syst. 145, 40–43 (1998).
• [6] L. Topór-Kamiński, „Wielozaciskowy napięciowy WO z tranzystorami MOS o bramce swobodnej”, Krajowa Konferencja Elektroniki, Kołobrzeg, 205–210 (2002).
• [7] L. Topór-Kamiński, „Tranzystor polowy MOS o bramce swobodnej ze sprzężeniem wewnętrznym”, Zgłoszenie patentowe nr P 353815 z dnia 10.05.2002.
• [8] L. Topór-Kamiński and P. Holajn, „Tranzystory MOS o bramce swobodnej w obszarze nienasycenia współpracujące ze wzmacniaczami operacyjnymi”, VII Konferencja Naukowo-Techniczna Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice, Poznań, 63–66 (2002).