Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b.w.cz.

• Autorzy: Kordalski W. , Mika A.

Warianty tytułu

EN

Gate spreading resistance of the MOS transistor for very high frequency

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zaproponowano małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOS z uwzględnieniem rezystancji rozproszonej bramki w zakresie częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Na podstawie wyników pomiarowych dokonano identyfikacji wartości rezystancji rozproszonej. Przeprowadzono analizę rozkładu nośników nadmiarowych wzdłuż kanału tranzystora i na jej bazie podano interpretację fizyczną zależności rezystancji rozproszonej od częstotliwości i długości kanału tranzystora.

EN

Non-quasi-static small-signal MOSFET in which gate spreading resistance is taken into account is proposed for RP and microwave frequency. Based on theoretical and experimental results, the gate spreading resistance is discussed and its dependence on the channel length and frequency is interpreted as well.

Słowa kluczowe

PL

rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS

• Wydawca: Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
• Rocznik: 2008
• Tom: T. 16
• Strony: 507--512
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., rys.

Twórcy

autor

Kordalski W.

autor

Mika A.

• Politechnika Gdańska, Katedra Systemów Mikroelektronicznych

Bibliografia

• [1] Kordalski W., Stefański T.: A Non-Quasi-Static Small-Signal MOSFET Model for Radio and Microwave Frequencies Including Spreading Gate Resistances and Capacitances. Proceedings of the 2003 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RPIC) Symposium, Philadelphia, PA, pp.365 -368,2003.
• [2] Kordalski W.: Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, 2008, w tym wydaniu.
• [3] Kordalski W.: An Injection Non-Quasi-Static Small-Signal MOSFET Model. Proceedings of the International Conference on Signals and Electronic Systems, Oct. 17-20, 2000, Ustroń, Poland, s.307-312.