Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET

• Autorzy: Kordalski W. , Damaszk L. , Boratyński B. , Panek M. , Woźniak J. , Zborowska-Lindert I. , Ściana B.

Warianty tytułu

EN

Small-signal model for the MAGFET

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.

EN

Small-signal model for the MAGFET, in which mutual interaction between drain voltages is taken into account, is derived and a discussion of obtained results is presented.

Słowa kluczowe

PL

czujnik pola magnetycznego; napięcia drenów; tranzystor typu MAGFET

• Wydawca: Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
• Rocznik: 2008
• Tom: T. 16
• Strony: 501--506
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys.

Twórcy

autor

Kordalski W.

autor

Damaszk L.

autor

Boratyński B.

autor

Panek M.

autor

Woźniak J.

autor

Zborowska-Lindert I.

autor

Ściana B.

• Politechnika Gdańska

Bibliografia

• [1] Baltes H. and Popovic R.: Integrated semiconductor magnetic field sensor, Proceedings of the IEEE, vol. 74, no. 8, pp. 1107-1132, Aug. 1986.
• [2] Liu S. I., Wei J. F. and Sung G. M.: SPICE macro model for MAGFET and its applications, IEEE Trans. on Circuits and System-II: Analog and Dig. Signal Processing, vol. 46, no 4, pp. 370-375, April 1999.
• [3] Kordaiski W., Polowczyk M., Czerwiński J., Dzierżko J. Dobrzański L.: Urządzenie do pomiaru i/lub detekcji pola magnetycznego, Patent PL 195809 (zgłoszenie P346093 z dnia 22.02.2001r.).
• [4] KordaIski W., Boratyński B., Zborowska-Lindert I., Panek M., Ściana B., Tłaczała M.: Czujnik pola magnetycznego typu MagFET", Zgłoszenie patentowe P.381793 z dnia 20.02.2007 r.