Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
IGBT model for simulation using PSPICE and TCad software - comparative analysis
Konferencja
Zastosowanie komputerów w nauce i technice 2001. Cykl seminariów zorganizowanych przez Oddział Gdański PTETiS (11 ; 2001 ; Gdańsk, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
W artykule przedstawione są modele symulacyjne tranzystora IGBT reprezentujące fizyczne podstawy działania przyrządu uzyskane w oparciu o bibliotekę programu PSpice oraz przy wykorzystaniu obwodowych schematów elementów programu TCad. Wyniki symulacji w układzie z tranzystorem kluczującym ilustrują przebiegi włączania i wyłączania tranzystora przy obciążeniu rezystancyjnym. Analiza porównawcza procesów komutacji i charakterystyk statycznych modeli powyższych symulatorów daje ocenę ich zbieżności i dokładności.
In this article the IGBT transistor models for simulation are described. IGBT model in the PSpice environment is based on physical device equations using library resources, while in the TCad software a circuit oriented modelling is applied. Simulation results of the transistor switching circuit depict turn-on and turn-off waveforms at the resistive load. Comparative analysis of commutations transients and static characteristics is given to evaluate convergence and precisions of models resulting from the above simulators.
Słowa kluczowe
Rocznik
Tom
Strony
269--274
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., 8 rys.
Twórcy
autor
- Politechnika Gdańska, WEiA, KEiME, ul. Sobieskiego 7,80-216 Gdańsk tel: (58) 347-16-39 fax: (58) 341-08-80
autor
- Politechnika Gdańska, WEiA, KEiME, ul. Sobieskiego 7,80-216 Gdańsk tel: (58) 347-16-39 fax: (58) 341-08-80
Bibliografia
- 1. MicroSim Corporation: Users Manual Version 8.0 June 1997.
- 2. Kraus R., Hoffmann K., Turkes P.: Analysis and modelling of the technology dependent electrothermal IGBT characteristics. Proceedings IPEC’95 Yokohama Japan
- 3. Hefner A.R.Jr.: Modelling buffer layer IGBTs for circuit simulation. IEEE Trans. On Power Electronics, vol. 10, no 2 march 1995 pp. 111-123.
- 4. Pawelski W., „Nowy model tranzystora IGBT dla symulatorów środowiska SPICE”, Modelowanie i Symulacja ‘2000, Kościelisko 2000, pp. 261-268
- 5. Bonafe T., El Baroudi S., Bernot F., Berthon A.: IGBT model for power electronics simulation, Proceedings EPE’95 Sevilla Spain 1995, vol. 1 pp. 141-145.
- 6. Nieznański J., Iwan K., Szczęsny R., Ronkowski M.: TCad for Windows High performance power electronic simulation software, Softech Gdańsk 1996.
- 7. Szczęsny R., Chrzan P.J., Iwan K.: Zastosowanie technik komputerowych w symulacji i projektowaniu układów przekształtnikowych. Przegląd Elektrotechniczny 2000. nr 2, s. 30-34.
- 8. Lembeye Y., Schanen J.L., Keradec J.P.: Experimental charactenzation of insulated gate power components: capacitive aspects, IEEE Industry Applications Society (IAS) Annual Meeting, New Orleans, Louisiana, October 5-9, 1997 pp. 983-988.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPG4-0002-0021