PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

System for the potential map of metal and semiconductor surfaces monitoring

Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
System monitoringu mapy potencjałów na powierzchni metali i półprzewodników
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
The development of the system for the metal and semiconductor surfaces potential mapping is described. The system consists of a personal computer, developed hardware, named IS KPR and specialized software. Examples of practical application of above system are discussed.
PL
Opisano budowę systemu do monitoringu rozkładu potencjałów na powierzchni metali i półprzewodników. Zawiera on przenośny komputer, opracowany podzespół o nazwie IS KPR I specjalizowane oprogramowanie. Przedyskutowano przykłady zastosowania w praktyce tego systemu.
Rocznik
Tom
Strony
24--26
Opis fizyczny
Bibliogr. 7 poz., il.
Twórcy
autor
Bibliografia
  • [1] Tyavlovsky A. Metrological assurance of measurements of physical and chemical parameters of technological media and materials // Лучший молодой метролог КООМЕТ-2009. Доклады III Международного конкурса / Под общ. ред. д-ра техн. наук Н.А. Жагоры
  • [2] Surplice N. A. a. D. a., R. J. (1970). A critique of the Kelvin method of measuring work functions. Journal Of Physics E-Scientific Instruments (3): 477.
  • [3] Taylor, John K. (1993). A Guide to Standard Reference Materials. NIST 260-100 special edition.
  • [4] Hadjadj, A., B. Equer, et al. (2002). Contact potential measurements with a local Kelvin probe. Philosophical magazine b-physics of condensed matter statistical mechanics electronic optical and magnetic properties 82(11): 1257-1266.
  • [5] Baikie, I. D., S. Mackenzie, et al. (1991). Noise and the Kelvin method. Review of scientific instruments 62(5): 1326-1332
  • [6] Жарин А. Л. и др. Визуализация электрического потенциала прецизионных поверхностей / Международный симпозиум «Перспективные материалы и технологии» (Витебск, Беларусь, 25-29 мая 2009 г.). Сборник тезисов. – с. 24
  • [7] Ishii, H., N. Hayashi, et al. (2004). Kelvin probe study of band bending at organic semiconductor/metal interfaces: examination of Fermi leve , Phys. stat. sol. (a) 201(6): 1075-1094.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPB9-0002-0006
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.