Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Sputtering phenomena during the Iow energy In irradiation of Be and C
Konferencja
Ogólnopolskie Seminarium "Techniki Jonowe" (8 ; 12-14.03.2003 ; Szklarska Poręba, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
Badano parametry implantacji niskoenergetycznych jonów indu do tarcz z lekkich pierwiastków Be i C wykorzystując do pomiarów spektrometr SIMS. Porównano dane eksperymentalne z obliczeniami przy użyciu programu komputerowego SATVAL.
Experimental data of sputtering investigations of the light targets, such as berylium and graphyte, during low energy indium ions bombardment are compared with the computer simulation results. The relative sputtering yield of In atoms - implanted due to irradiation of the target by the In ion primary beam - was measure as a function of irradiation dose. The experiment was performed by the use of the SIMS technique. For the computer simulations purpose we used SATVAL code.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
27--29
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., il.
Twórcy
autor
- Instytut Fizyki, Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej, Lublin
autor
- Instytut Fizyki, Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej, Lublin
autor
- Instytut Fizyki, Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej, Lublin
Bibliografia
- 1. W. Eckstein: Nucl. Instr. and Meth. B 171 (2000) 435.
- 2. W. Mӧller, W. Eckstein, J. P. Biersack: Comp. Phys. Commun. 51 (1988) 355.
- 3. J. Sielanko, W. Szyszko: Surface Science 161 (1985) 101.
- 4. J. Sielanko, W. Szyszko: Nucl. Instr. and Meth. B 16 (1986) 340.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPB5-0002-0049