PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Badania chropowatości powierzchni warstw optycznych nanoszonych w procesie IBAD : wstępne porównanie symulacji komputerowych z eksperymentem

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
lnvestigation of roughness of optical films formed in IBAD deposition process : comparison of experiments with computer simulation results
Konferencja
Ogólnopolskie Seminarium "Techniki Jonowe" ( 8 ; 12-14.03.2003 ; Szklarska Poręba, Polska)
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W pracy przedstawiono kontynuację badań symulacyjnych (metodą Monte Carlo) modyfikacji topografii powierzchni i wzrostu warstw nanoszonych w procesie IBAD. Badano chropowatość powierzchni warstw o symulowanym wzroście oraz warstw optycznych (CrN) nanoszonych w warunkach odpowiadających warunkom symulacji. Z pomiarów elipsometrycznych, mierząc spektralną zależność współczynnika załamania n oraz wskaźnika absorpcji k, określono wpływ energii bombardujących jonów na właściwości optyczne osadzanych warstw. Zmiana parametrów n i k wynika m. in. ze zmian topografii powierzchni, co badano wykorzystując mikroskop sil atomowych (AFM). Porównując wartości współczynników ft, zmierzonych za pomocą mikroskopu AFM z wartościami uzyskanymi z symulacji komputerowych stwierdzono konieczność opracowania odpowiedniej metodyki uśredniania obliczeń.
EN
In this work we present the continuation of our former simulation studies on optical films deposited in IBAD process. The comparison between the simulation results and the experimental results obtained for CrN film obtained for different energy of ion beam is presented. The results show that along with the increase of the ion beam energy the roughness of the films under consideration decreases for both simulation and experimental cases determined by AFM microscope measurements.
Słowa kluczowe
Rocznik
Strony
21--23
Opis fizyczny
Bibliogr. 17 poz., il.
Twórcy
  • Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Politechnika Wrocławska
  • Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska
  • Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska
  • Wydział Chemii, Uniwersytet Warszawski
autor
  • Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska
Bibliografia
  • 1. N. Jin, L. Yusun, Z. Houming, F Yudong, W Yi: Surface and Coatings Technology; 145; 2001; 71-74.
  • 2. H. K. Pulker: Surface and Coatings Technology; 112; 1999; 250-256.
  • 3. L. Dong, O. J. Srolovitz: Applied Physics Letters ; 75; 4; 1999; 584-586.
  • 4. W Zahn, A. Zoesch: Fresenius J. Anal. Chem.: 358; 1997; 119-121.
  • 5. J. Zdanowski, W Oleszkiewicz: Proc 12th International Special Summer School Kołobrzeg 2000; ,,Modern Plasma Surface Technology"; Materiały Konferencyjne Wydziału Mechanicznego Politechniki Koszalińskiej ; Koszalin; 2000; 75-136.
  • 6. W Oleszkiewicz, E. Oleszkiewicz, K. Żukowska: SPIE Proc.; 3820; 1999; 423-428.
  • 7. R. W. Smith, D. J. Srolovitz: J. Appl. Phys.; 79; 3; 1996; 1448-1457.
  • 8. E. Lugscheider, G. von Hayn: Surface and Coatings Technology; 116-119; 1999; 568-572.
  • 9. J. B. Adams, Z. Wang, Y. Li: Thin Solid Films; 365; 2000; 201-210.
  • 10. G. H. Gilmer, H. Huang, T. D. de la Rubia, J. D. Torre, F Baumann: Thin Solid Films; 365; 2000; 189-200.
  • 11. K. A. Fichthorn, M. L. Merrick, M. Scheffler: Appl. Phys.; A 75; 17-23; 2002/Digital Object Identifier (DOI) 10.1007/s003390101051.
  • 12. W. Oleszkiewicz, P. Romiszowski: Vacuum; 63; 4; 2001; 613-617.
  • 13. W. Oleszkiewicz, P. Romiszowski: Elektronika; XLII; 7; 2001; 25-27.
  • 14. W. Oleszkiewicz, P. Romiszowski: Optica Applicata; XXXII; 3; 2002; 259-265.
  • 15. W. Oleszkiewicz, P. Romiszowski: Vacuum; 70; 2003; 347-352.
  • 16. A. Marendziak, T. Gotszalk, A. Sankowska, J. Radojewski, R. Szeloch: Elektronizacja; 7-8; 2002; 51-53.
  • 17. Polska norma PN-EN ISO 4287 - Terminy, definicje i parametry struktury geometrycznej powierzchni.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPB5-0002-0047
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.