Podłoża alternatywne stosowane w epitaksji azotku galu

• Autorzy: Korbutowicz R. , Dumiszewska E. , Grabowska J.

Warianty tytułu

EN

Alternative substrates for gallium nitride epitaxy

• Konferencja: Ogólnopolskie Seminarium "Techniki Jonowe" (8 ; 12-14.03.2003 ; Szklarska Poręba, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono kryształy stosowane jako podłoża do epitaksji azotku galu. W tabeli zebrano podstawowe i istotne dla epitaksji dane materiałowe. Omówiono pokrótce właściwości i zastosowania tych podłoży. Pokazano na diagramie niedopasowania sieciowe oraz różnice współczynników rozszerzalności cieplnej różnych podłoży i GaN. Wskazano na możliwości wytworzenia samonośnych podłoży GaN do zastosowań półprzewodnikowych.

EN

In this paper crystals used as epitaxial substrates for gallium nitride deposition are presented. Some fundamental and important for epitaxy properties of these materials are taken in the table. Properties and applications of these single crystals are briefly discussed. Lattice mismatch and differences of thermal expansion coefficients between substrates and gallium nitride are shown in the diagram. Possibilities of manufacturing free-standing GaN substrates for semiconductor applications are indicated.

Słowa kluczowe

PL

podłoża; azotek galu; epitaksja

EN

substrate; gallium nitride; epitaxy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 44, nr 11
• Strony: 5--9
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., il.

Twórcy

autor

Korbutowicz R.

• Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Politechnika Wrocławska

autor

Dumiszewska E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

autor

Grabowska J.

• School of Physical Sciences/NCPST, Dublin City University, Ireland

Bibliografia

• 1. R. Paszkiewicz et al.: MOVPE GaN Grown on alternative substrates, Cryst. Res. Technol., vol. 36 nr 8-10, 2001, p. 971.
• 2. M. Boćkowski et al.: Directional crystallization of GaN on high-pressure solution grown substrates by grow1h from solution and HVPE, J. Cryst. Grow1h, Vol. 246, 2002, p. 194.
• 3. G. Kamler et al.: Bulk GaN single-crystal growth, J. Cryst. Growth, Vol. 212, 2000, p. 39.
• 4. np. S. T. Kim et al.: J. Cryst. Growth, Vol. 194, 1998, p. 37, O. Kryliouk et al.: Mat. Sci. & Eng. B66, 1999, p. 26.
• 5. R. Paszkiewicz et al.: Epitaxial overgrowth of GaN - a new method for pseudobulk substrate preparation. W: 23rd International Spring Seminar on Electronics Technology 2000. ISSE 2000. Conference Proceedings. [Eds Z. illyefalvi-Vitez et al.]. Balatonfured, Hungary.
• 6. R. Paszkiewicz et al.: Application of GaN laterally overgrown on sapphire. Part: Epilayers and heterostructures in optoelectronics and semiconductor technology. International Conference on Solid State Crystals 2000. Eds J. Rutkowski, J. Wenus, L. Kubiak. Zakopane, 9-13 October 2000. Bellingham, Wash.: SPIE - The International Society for Optical Engineering 2001 p. 61 , (SPIE Proceedings Series, ISSN 0277-786X; vol. 4413).
• 7. R. Paszkiewicz: Technologia ELO w epitaksji związków (In, Ga, Al) N, Elektronika, Nr 2, 2001 , s. 23.
• 8. R. Paszkiewicz: Application of selective area epitaxy for GaN devices, Optica Applicata, Vol. XXXII , No. 3, 2002, p. 503.
• 9. H. Morkoc,: Mat. Sci. & Eng. R 33, p. 135, 2001.
• 10. L. Liu, J. H. Edgar: Substrates for gallium nitride epitaxy, Materials Science and Engineering - Reports, R 37, 2002, p. 61.