Tranzystory organiczne

Polowczyk, M.; Klugmann, E.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Tranzystory organiczne

Autorzy

Polowczyk M. , Klugmann E.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Organic transistors

Języki publikacji

Abstrakty

W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

The paper presents device construction, operation principles and some basic characteristics related to organic field-effect transistors shortly reviewing recent progress in the subject. The paper outlines the organic type TFT and SIT transistors made from easily processable and partially ordered flexible organic materials. The authors give also attention to the birth of the molecular field-effect transistor.

Słowa kluczowe

tranzystory organiczne tranzystory cienkowarstwowe tranzystory polowe tranzystory molekularne

organic transistors molecular transistors

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2003

Tom

Vol. 44, nr 10

Strony

12--16

Opis fizyczny

Bibliogr. 23 poz., il.

Twórcy

autor

Polowczyk M.

deans@pg.gda.pl

Katedra Elektroniki Ciała Stałego, Politechniki Gdańskiej

autor

Klugmann E.

Katedra Elektroniki Ciała Stałego, Politechniki Gdańskiej

Bibliografia

1. M. Polowczyk, E. Klugmann: Półprzewodniki organiczne; Elektronika (XLIII), n. 3, 2002, s. 11.
2. S. Okubo: Organic Transistors expedite flexible EL displays. Nikkei Electronics Asia, December 2001; http://www.asiabiztech.com/wsc/frm/nea/200112/peri_161078.html
3. D. Sweatman: Organic devices: A review; Microelectronic Engineering Research Conference 2001, Griffith University, Brisbone, Australia; http://maxwell.me.gu.edu.au/school/merc/Sweatman.pdf
4. J. M. Shaw, P. F. Seidler: Organic electronics: Introduction; IBM J. Res. & Dev., v. 45. n. 1, January 2001, p. 3.
5. C. Bartici in.: A low-cost CHEMFET device based on an organic thin-film transistor; IMEC, Internuniversitair Micro-Elektronica Centrum, Dept. Microsystems, Components & Packaging, Kapeldreef 75, B-3000 Leuven, Belgium; www.imec.be/wwwinter/micro-systems/biosensors/pdf/CB_8thIMCS.pdf; www.imec.be/www-inter/microsystems/biosensors/pdf/CB_IEDM2000.pdf
6. L. Torsi i in.: Organic thin film transistors: from active materials to novel applications; Solid-State Electronics, 45 (2001) 1479-1485.
7. J. Kastner i in.: Springer Series in Solid State Sci., Springer-Verlag, Berlin, 113 (1993) 512-515.
8. L. Torsi i in.: Intrinsic transport properties and performance limits of organic field-effect transistors. Science, 272 (1996) 1462-1464.
9. C. D. Dimitrakopoulos, D. J. Mascaro: Organic thin-film transistors: A review of recent advances; IBM J. Res. & Dev., v. 45, n. 1, 2001, p. 11.
10. L. Torsi i in.: Charge transport in oligothiophene field-effect transistors. Phys. Rev. B 57 (1988) 2271-2275.
11. S. Schneinert i in.: Subthreshold characteristics of field effect transistors based on poly (3-dodecylthiophene) and on organic insulator; J. Appl. Phys., v. 92, n. 1, July 2002, p. 330.
12. C. J. Drury, C. M. J. Mutsaers, D. M. de Leeuw: Low-cost all polymer integrated circuits; J. Appl. Phys. Letters, v. 73, n. 1, July 1998, p. 108.
13. Y. M. Kim i in.: All-organic thin-film transistors using photoacryl as a gate insulator; Optical Materials, v. 21, n. 1-3, January 2003, p. 425 14. J. A. Rogers i in.: Organic smart pixels and complementary inverter circuits formed on plastic substrates by casting and rubber stamping; IEEE Electron Devices Letters, v. 21, n. 3, March 2000, p. 100.
15. S. Kuniyoshi, M. Iizuka, K. Kudo: Space-charge conduction in a copper phtalocyanine static induction transistor; IEICE Trans. Electron., v. E83-C, n. 7, July 2000, p. 1111.
16. K. Kudo i in.: Device characteristics of lateral and vertical type organic field effect transistors; Thin Solid Films, 393 (2001) 362-367.
17. C. M. Joseph, C. S. Menon: Device characteristics of NiPc static induction transistor; Materials Letters, 51 (2001) 200-202.
18. C. M. Joseph, C. S. Menon: Device preparation and characteristics of CuPc transistor; Materials Letters 52 (2002) 220-222.
19. Pr. zb. pod red. Ramón Compańó: Technology roadmap for nano- electronics. European Commission IST programme Future and Emerging Technologies. Luxembourg, November 2000.
20. A. Aviram, M. A. Ratner: Molecular rectifiers. Chem. Phys. Lett. 29 (1974) 277-283.
21. M. Di Ventra, S. T. Pantelides, N. D. Long: The benzene molecule as a molecular resonant-tunneling transistor. Appl. Phys. Letters, v. 76, n. 23, June 2000, p. 3448.
22. J. H. Schön, H. Meng Z. Bao: Self-assembled monolayer organic field-effect transistors; Nature, v. 413, 18 October 2001, p. 713.
23. Report of Investigation Committee on the possibility of scientific misconduct in the work of Hendrik Schön and coauthors; Lucent Technologies, September 2002; http://www.lucent.com/news_events/researchreview.html

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BPB5-0002-0034