Implantowane warstwy rezystancyjne w węgliku krzemu

• Autorzy: Synowiec Z.

Warianty tytułu

EN

Implant resistance layers in silicon carbide

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

We wstępie tego przeglądowego artykułu zostały opisane najważniejsze parametry elektryczne materiału SiC i obszary zastosowań przyrządów z SiC. Następnie, pokazano miejsca warstw wysokorezystancyjnych w technologii przyrządów z SiC. Na koniec, przedstawiono technologiczne aspekty formowania warstw wysokorezystancyjnych metodą implantacji jonów.

EN

In the introduction of this review article the most important SiC material electrical parameters and the areas of SiC devices application were described. Next, the places of highresistance layers in SiC devices technology were showed. In the end, technological aspect of highresistance layers forming by ion implantation method were presented.

Słowa kluczowe

PL

właściwości SiC; warstwy wysokorezystancyjne; przyrządy SiC; implantacja jonów

EN

SiC material parameters; highresistance layers; SiC devices; ion implantation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 44, nr 10
• Strony: 9--12
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz., il.

Twórcy

autor

Synowiec Z.

• Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Politechnika Wrocławska,

Bibliografia

• 1. P. G. Neudeck: SiC Technology, in The VLSI Handbook. The Electrical Engineering Handbook Series, W.-K. Chen, Ed. Baca Raton, Florida; CRC Press and IEEE Press, 2000, pp. 6.1-6.24.
• 2. D. Planson et al.: Periphery protection for silicon carbide devices: state of the art and simulation, Material Science and Engineering B46 (1997) 210-217.
• 3. D. Alok and B. J. Baliga: SiC Device Edge Termination using Finite Area Argon Implantation, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 44, No. 6, 997, pp. 1013-1017.
• 4. B. J. Baliga: Power Semiconductor Devices, PWS Publishing Company, 20 Park Plaza, Boston, MA 02116, 1995, pp. 82-113. 5. Z. Synowiec: Implantacja jonów w technologii półprzewodników III-V (Cz. II), Elektronika (XLII) 12'2001, str. 6-8.
• 6. SiC Substrates and Epitaxy, http://www.cree.com
• 7. Z. Synowiec: Technologia i zastosowanie struktur SIMOX, Elektronika (XXXII) 5'91, str. 17-20.
• 8. T. Kimoto et al.: Formation of semi-insulating 6H-SiC layers by vanadium ion implantations, Appl. Phys. Lett. 69 (8), 1996, pp. 1113-1115.
• 9. R. K. Nadella, M. A. Capano: High-resistance layers in n-type 4H- siliocon carbide by hydrogen ion implantation, Appl. Phys. Lett. 70 (7), 1997, pp. 886-889.
• 10. D. J. Morrison et al.: Effect of post-implantation anneal on electrical characteristics of Ni 4H-SiC Schottky barrier diodes terminated using self-aligned argon ion implantation, Solid-State Electronics 44 (2000) 1879-1885.
• 11. E. Huggonard-Bruyere et al.: Deep level defects in H+ implanted 6H-SIC epilayers and in silicon carbide on insulator structures, Material Science and Engineering B61-62 (1999) 382-388.
• 12. A. Heft et al.: Defect production and annealing in ion implanted silicon carbide, Material Science and Engineering B29 (1999) 142-146.
• 13. W. Jiang et al.: Irradiation effects and thermal annealing behavior in H2+ - implanted 6H-SIC, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B166-167 (2000) 374-378.
• 14. W. Jang et al.: Deuterium channelling analysis for He+ - implanted 6H-SIC, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B161-163 (2000) 501-504.
• 15. M. F. Beaufort et al.: Defects induced by high energy helium implantation in 4H-SIC, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B186 (2002) 218-222.
• 16. A. Declemy et al.: An IR-reflectivity and X-ray diffraction study of high energy He-ion implantation-induced damage in 4H-SIC, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B186 (2002) 318-323.
• 17. F. Gao et al.: Defect production, multiple ion-solid interactions and amorphization in SIC, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B191 (2002) 487-496.