Badanie głębokich poziomów domieszkowych w strukturach AIIIBV metodą niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS)

• Autorzy: Gelczuk Ł. , Dąbrowska-Szata M.

Warianty tytułu

EN

lnvestigation of deep level defects in III-V semiconductors by deep level transient spectroscopy technique (DLTS)

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono właściwości elektronowe i podstawowe parametry głębokich poziomów defektowych. Przedstawiono główne założenia metody lock-in DLTS i jej zastosowania do wyznaczania charakterystycznych parametrów głębokich poziomów. Omówiono podstawowe podzespoły stanowiska pomiarowego. Przedstawiono wyniki pomiarów sygnału DLTS w funkcji temperatury w strukturach n-GaAs z warstwą epitaksjalną. Wyznaczono energie aktywacji i przekroje czynne na wychwyt nośników. Zidentyfikowano wykryte poziomy pułapkowe.

EN

In this paper, the electron-properties and fundamental parameters of deep level defects have been discussed. The main assumptions of loc-k-in DLTS technipue and its application to determination of characteristic parameters of deep levels have been described. The basics components of the DLTS set up have been discussed. The results of temperature scan mode for DLTS signal measurements in n type GaAs structures with an epitaxial layer have been presented. The activation energies and the capture cross sections have been also determined. Ali the detected deep level traps have been identified.

Słowa kluczowe

PL

głębokie poziomy; struktury n-GaAs; spektroskopia

EN

deep level defects; structures n-GaAs; spectroscopy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 44, nr 10
• Strony: 3--8
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., il.

Twórcy

autor

Gelczuk Ł.

• Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Katedra Zaawansowanych Technik Elektronicznych, Politechnika Wrocławska

autor

Dąbrowska-Szata M.

• Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Katedra Zaawansowanych Technik Elektronicznych, Politechnika Wrocławska

Bibliografia

• 1. K. Sierański, M. Kubisa, J. Szatkowski, J. Misiewicz, Półprzewodniki i struktury półprzewodnikowe, Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław 2002, str. 68.
• 2. E. F. Schubert, Doping in III-V Semiconductors, Cambridge University Press, 1995.
• 3. Z. Synowiec, Rozwój metod testowania materiałów za pomocą DLTS - Raport nr. 32, Instytut Techniki Mikrosystemów, Politechnika Wrocławskiej, Wrocław 1998.
• 4. D. V. Lang, Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors, J. Appl. Phys., 45, 1974, str. 3023-3032.
• 5. Ł. Gelczuk, praca magisterska, Badanie głębokich poziomów domieszkowych w strukturach AIIIBV i AIIIN, Wydział Elektroniki, Politechnika Wrocławska, Wrocław 2002.
• 6. T. Kotowski, praca inżynierska, Adaptacja stanowiska DLTS do pomiarów poziomów domieszkowych w strukturach AIIIBV i AIIIN, Wydział Elektroniki, Politechnika Wrocławska, Wrocław 2002.