Właściwości dielektryczne ferroelektrycznej ceramiki opartej na relaksorach Pb (Fe1/2Nb1/2) 03 i Pb (Mg1/3Nb2/3) O3

• Autorzy: Szwagierczak D. , Kulawik J. , Gandurska J. , Marek A. , Śnieżyńska I.

Warianty tytułu

EN

Dielectric properties of ferroelectric ceramics based on Pb (Fe1/2Nb1/2) O3 and Pb (Mg1/3Nb2/3) O3 relaxors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opracowano metodykę syntezy i spiekania ceramiki opartej na dwóch relaksorowych ferroelektrykach Pb (Fe1/2Nb1/2) O3 (PFN) i Pb (Mg1/3Nb2/3) O3 (PMN) z dodatkiem normalnych ferroelektryków PbTi03 i BaTi03. Badano zależność statej dielektrycznej (przenikalności elektrycznej) i współczynnika stratności od temperatury i częstotliwości. Materiały spiekane w temperaturze 900-1150°C wykazywały wysoką maksymalną stałą dielektryczną w zakresie 2500-20000 i temperaturę Curie w zakresie od 40°C do 110°C. Opracowana ceramika o składzie 0,5PMN-0,3PFN-0,1PT-0,1BT odznaczała się bardzo niskim temperaturowym współczynnikiem pojemności w zakresie temperatur 0-125°C.

EN

Synthesis and sintering procedures were developed for ceramics based on two relaxor ferroelectrics Pb addition of normal ferroelectrics PbTiO3 and BaTiO3. De-pendencies of dielectric constant and dissipation factor on temperature and frequency were investigated. The materials sintered at 900-1150°C exhibited high maximal dielectric constant in the range 2500-20000 and Curie temperature from 40°C to 110°C. The developed 0,5PMN-0,3PFN-0,1 PT-0,1 BT ceramics showed very low temperature coefficient of capacitance in the temperature range 0-125°C.

Słowa kluczowe

PL

ceramika ferroelektryczna; relaksatosy

EN

ferroelectric ceramics; relaxors

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 44, nr 1
• Strony: 18--21
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., il., tab., wykr.

Twórcy

autor

Szwagierczak D.

• Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów, Kraków

autor

Kulawik J.

• Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów, Kraków

autor

Gandurska J.

• Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów, Kraków

autor

Marek A.

• Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów, Kraków

autor

Śnieżyńska I.

• Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Mikroelektroniki Hybrydowej i Rezystorów, Kraków

Bibliografia

• 1. T. R. Shrout, S. L. Swartz, M. J. Haun: „Dielectric Properties of Pb (Fe1/2Nb1/2) O3- Pb (Ni1/3Nb2/3) O, Solid-Solution System”, Ceram. Bull., 63 [6] (1984) 808.
• 2. K. Furokawa, S. Fujiwara, N. Kikachi, O. Lizawa, H. Tanaka: „High Dielectric Constant Type Ceramic Composition Consisting Essentially of Pb (Fe1/2Nb1/2) O3- Pb (Mg1/3Nb2/3) O3- U. S. Pat 4 216 102 (1980).
• 3. J. M. Wheeler: „Ceramic Capacitors and Dielectric Compositions” U. K. Pat. 2 126 575 (1984)
• 4. S. L. Fu, G. F. Chen: „Low Firing Thick Film Dielectrics in the System Pb (Fe2/3W1/3) x (Fe1/2Nb1/2) 0.86-x Ti0.1403 - B2O3/Li2O”, Am. Ceram. Soc. Bull., 66 [9] (1987) 1397.
• 5. R. M. V. Rao, A. Halliyal, A. M. Umarji: „Perovskite Phase Formation in the Relaxor System [Pb (Fe1/2Nb1/2) O3]1-x - [Pb (Zn1/3Nb2/3) O3]x, J. Am. Ceram. Soc. 79 [1] (1996) 257.
• 6. J. Kulawik, D. Szwagierczak, J. Gandurska, A. Marek, I. Śnieżyńska: „Dielectric Properties of Relaxor Capacitor Materials with Pb (Fe1/2Nb1/2) O3 as Main Component”, Proc. XXIII IMAPS-Poland Conf., Kołobrzeg, 1999, 137.
• 7. J. Kulawik, D. Szwagierczak: „Ceramika kondensatorowa na bazie Pb (Mg1/3Nb2/3) O3 z dodatkiem PbTiO3 i BaTiO3, Elektronika, 5 (2000) 13.
• 8. J. Gadurska i in.: Pasty i warstwy z materiałów o strukturze peroskowej, Elektronika; 4 (2002), 25.