Stałoprądowy elektrotermiczny model tranzystora JFET dla programu SPICE

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

D. C. electrothermal model of JFET transistor for SPICE

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy problemu modelowania nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET w programie SPICE. W pracy zaproponowano stałoprądowy elektrotermiczny model tranzystora JFET, słuszny dla dowolnej polaryzacji tego elementu. Model uwzględnia podstawowe zjawiska zachodzace w tym elemencie oraz efekty drugorzędne, takie jak: przebicie złącza bramka-dren, prądy generacyjne złączy i samonagrze- wanie. Poprawność rozważań teoretycznych zweryfikowano eksperymentalnie.

EN

This paper concerns problem of the modelling of the nonisothermal d.c. JFET characteristics by the use of SPICE software. The lumped d.c. electrothermal model of JFET, based on Shichman-Hodges model, is proposed. This model takes into consideration the basic phenomena, which occur in the considered device, the generation current, the avalanche breakdown, the drain and source series resistances and the selfheating. The theoretical considerations are verified by measurements.

Słowa kluczowe

PL

elektrotermiczny model; JFET; SPICE; charakterystyki DC

EN

electrothermal model; d.c JFET characteristics; SPICE

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 44, nr 1
• Strony: 3--6
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., il.

Twórcy

autor

Górecki K.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Radioelektroniki Morskiej

Bibliografia

• 1. Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
• 2. Zarębski J., Górecki K.: D. C. Electrothermal Hybrid Model of P-N Diode for SPICE, IEEE International Symposium on Circuits and Systems ISCAS'97, Hong Kong 1997, Vol. III, p. 1612.
• 3. Janke W., Kalman W., Łata Z.: Zastosowanie programu SPICE do symulacji układów elektronicznych w warunkach nieizotermicznych. XV Sympozjum z Podstaw Elektrotechniki i Teorii Obwodów, Wisła 1992, s. 383.
• 4. Schurack E., Latzel T., Gottwald A.: SPICE-Simulation of Nonlinear Effects in Field-Effect-Transistors Caused by Thermal Power Feedback. IEEE International Symposium on Circuits and Systems ISCAS'93, Chicago, p. 1116.
• 5. Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W. J.: SPICE-Aided Electrothermal Modelling of Power BJTS. 5th International Seminar on Power Semiconductors ISPS 2000, Praga (Czechy) 2000, p. 181.
• 6. Schurack E., Latzel T., Rupp W., Gotwald A.: Nonlinear Effects in Transistors Caused by Thermal Power Feedback: Simulation and Modeling in SPICE. IEEE Int. Symp. on Circuits and Systems - ISCAS'92, San Diego 1992, p. 879.
• 7. Górecki K.: Elektrotermiczny makromodel tranzystora Darlingtona do analizy układów elektronicznych. Praca doktorska, Politechnika Gdańska, 1999.
• 8. Zarębski J., Górecki K.: Modelowanie tranzystora Darlingtona mocy z uwzględnieniem oddziaływań elektrotermicznych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, t. 45, z. 3-4, 1999, s. 455.
• 9. Petegem W., Wachter D., Sansen W.: Electrothermal Simulation of Integrated Circuits. 6-th IEEE SEMI-THERM, Phoenix 1990, p. 70.
• 10. Kos A.: Modelowanie hybrydowych układów mocy i optymalizacja ich konstrukcji ze względu na rozkład temperatury. Wydawnictwo AGH, Kraków 1994.
• 11. Górecki K., Zarębski J.: Możliwości zastosowania funkcji programu Pspice do modelowania elementów półprzewodnikowych. Elektronizacja, Not-Sigma, Nr 1-2, 2002, s. 17.
• 12. Górecki K., Zarębski J., Napieralski A.: Modelowanie nieizotermicznych charakterystyk tranzystora JFET w programie SPICE. Zeszyty Naukowe WSM, Nr 42, 2001, s. 134.
• 13. Izydorczyk J.: Pspice. Komputerowa symulacja układów elektronicznych. Helion, Gliwice, 1993.
• 14. Antognetti P., Massobrio G.: Semiconductor Devices Modeling with SPICE. McGraw-Hill Book Company, New York, 1988.
• 15. MicroSim Pspice A/D. Reference Manual. MicroSim Corp., 1997.
• 16. Zarębski J., Górecki K.: Application of the Impulse-Switched Method to Measure the Thermal Resistance of Semiconductor Devices. XII Polish National Conference Application of Microprocessors in Automatic Control and Measurements, Warszawa, 2000, p. 121.