Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne

• Autorzy: Dumiszewska E. , Lenkiewicz D. , Strupiński W. , Jasik A. , Jakieła R.

Warianty tytułu

EN

MOVPE deposition of III-V compounds. The main technological issues

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono typowe problemy pojawiające się podczas epitaksji związków azotowych. Wykonano warstwy GaN na warstwach nukleacyjnych GaN oraz AIN.. Zoptymalizowano parametry wzrostu warstw AlxGa1-xN. Otrzymano warstwy o wysokim składzie Al oraz grubości potrzebnej do wykonania struktury detektorów. Obniżenie temperatury wzrostu do 700°C oraz zastosowanie dodatkowego źródła Ga (TEGa) pozwoliło na uzyskanie warstw emitujących promieniowanie fotoluminescencyjne do długości fali od 350 do 500 nm, a co za tym idzie wykonanie struktur dla diod emitujących światło niebieskie i zielone.

EN

In this work, the main technological issues concerning the MOVPE deposition of III-N compounds are presented. The gallium nitride layers were deposited on GaN and A1N nucleation layers. The growth parameters of AlxGa1- x N layers were optimized. As a result, the layer with a high Al content and the thickness suitable for UV detectors was obtained. By decreasing the growth temperature to 700°C and applying TEGa as a Ga source we obtained the layers with the wavelength of the photoluminescence emission ranging from 350 to 500 nm. The epitaxial structures for blue and green light emitting diodes were made.

Słowa kluczowe

PL

epitaksja; optoelektronika; azotek; krzem; gal

EN

epitaxy; optoelectronics; nitride; silicon; gallium

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2003
• Tom: T. 31, nr 3-4
• Strony: 76--91
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Dumiszewska E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Ul. Wólczyńska 133 01-919 Warszawa

autor

Lenkiewicz D.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Ul. Wólczyńska 133 01-919 Warszawa

autor

Strupiński W.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Ul. Wólczyńska 133 01-919 Warszawa

autor

Jasik A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Ul. Wólczyńska 133 01-919 Warszawa

autor

Jakieła R.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Ul. Wólczyńska 133 01-919 Warszawa

Bibliografia

• [1] Kamler G.: Otrzymywanie i badanie właściwości monokryształów azotku galu. Rozpr. doktorska. Chemii Nieorganicznej Politechniki Warszawskiej, Warszawa, (2000)
• [2] Nakamura S., Pearton S., Fasol G.: The blue laser diode. The complete story. Springer (2000)
• [3] Dingle R., Ilegems M.: Donor-acceptor pair recombination in GaN. Sol. State Com. 9, 175 (1971)
• [4] Saarinen K., Laine T., Kuisma S., Nissila J., Dobrzyński L., Baranowski J. M., Pakuła K., Stepniewski R., Wojdak M., Wysmolek A. , Suski T., Leszczyński M. , Grzegory I. , Porowski S.: Observation of native Ga vacancies in GaN by positron annihilation. Physical Review Letters 79, 3033 (1997)
• [5] Lenkiewicz D.: Optymalizacja wzrostu warstw nukleacyjnych dla azotku galu. Praca Dyplomowa, WIM, Warszawa (2002)
• [6] Pankove J. I. , Moustakas T. D. : Gallium nitride (GaN) I. Semiconductors and Semimetals. Academic Press (1998)
• [7] Jianquin Qu, Jing Li, Guoyi Zhang: AlGaN/GaN heterostructure grown by metalorganic vapor phase epitaxy. PII: S0038-1098(98)00253-l.
• [8] Amano H. , Akasaki I. : Critical issues in Al^Ga, growth. Optical Materials 19 (2002) 219-222