Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego

• Autorzy: Nossarzewska-Orłowska E. , Kozłowski R. , Brzozowski A. , Lipiński D. , Sterczewski P. , Dobrzański L. , Cindro V.

Warianty tytułu

EN

Silicon epitaxial layers for nuclear radiation detectors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Krzemowe detektory promieniowania jądrowego ulegają, degradacji pod wpływem napromieniowania hadronami o dużej energii. Degradacja wywołana jest generowanymi przez strumień protonów defektami, stanowiącymi centra generacyjno-rekombinacyjne dla nośników ładunku. Obecność atomów tlenu w krzemie może zwiększyć odporność na radiacje,. Wykonano testowe diody detekcyjne na wysokorezystywnych, krzemowych warstwach epitaksjalnych, osadzonych na płytkach podłożowych z krzemu CZ . Wyznaczono profil koncentracji tlenu w warstwie epitaksjalnej na skutek dyfuzji tlenu z podłoża podczas wysokotemperaturowego procesu epitaksji. Poprzez pomiar profilu rezystywności w warstwie oraz rejestracji widma głębokich poziomów metoda. Capacitance-Deep Level Transient Spectroscopy (C-DLTS) określono zmiany zachodzące w warstwie epitaksjalnej w trakcie wykonywania diody i pod wpływem napromieniowania dużymi dawkami protonów i neutronów .

EN

Silicon detectors for nuclear radiation degrade during operation in high-energy hadrons environments. This degradation is caused by the introduction of electrically active defects. Oxygen atoms could harden silicon against the radiation. Detection diodes were manufactured on high resistivity epitaxial layers grown on CZ silicon substrates with the oxygen concentration. The concentration profile of oxygen diffused from the substrate to the growing epitaxial layer was determined. A change of the epitaxial layer resistivity and deep levels spectra by C-DLTS method were investigated for non-irradiated diodes and the diodes irradiated by protons and neutrons.

Słowa kluczowe

PL

krzem; epitaksja; promieniowanie

EN

silicon; epitaxy; radiation

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 1998
• Tom: T. 26, nr 3-4
• Strony: 5--14
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Nossarzewska-Orłowska E.

autor

Kozłowski R.

autor

Brzozowski A.

autor

Lipiński D.

autor

Sterczewski P.

autor

Dobrzański L.

autor

Cindro V.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Ul. Wólczyńska 133 01-919 Warszawa