Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw

• Autorzy: Sakowska H.

Warianty tytułu

EN

Investigation of surface of oxide single crystals and possibilities of surface modification for thin films applications

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wymagania jakie powinny spełniać materiały tlenkowe stosowane na podłoża pod warstwy epitaksjalne. Wymagania te dotyczą zarówno własności objętościowych jak i powierzchniowych kryształów, na których wystąpi epitaksjalny wzrost warstwy. Opisano cykl przygotowania kryształu od momentu cięcia na płytki do momentu uzyskania lustrzanej, czystej powierzchni podłoża. Omówiono stosowane metody badań powierzchni materiałów podłożowych, określające jakość strukturalną, morfologię powierzchni oraz stopień czystości chemicznej. Przedstawiono stosowane metody modyfikacji powierzchni zmierzające do uzyskania odpowiednio przygotowanego podłoża, dla którego rośnie prawdopodobieństwo uzyskania lepszej jakościowo cienkiej warstwy epitaksjalnej.

EN

The requirements for epitaxial layer substrates are reported in the paper. These requirements involve both bulk single crystals and surface features of substrates on which the epitaxial growth will be proceeded. The method of substrate fabrication starting from cutting of crystal into a wafers and finishing in cleaning of polished surface is described. The examination methods of structural perfection of surface e.g.: low energy electron diffraction (LEED), reflection high energy electron diffraction (RHEED) and two dimensional high resolution difractometry are also presented. The principle of work and measurement possibilities of atomic force microscope (AFM) and X-ray reflectometry as a satisfactory tools for investigation of surface morphology are emphasised. The identification methods of chemical composition of surface and subsurface layers e. g.: Auger electron spectroscopy (AES), Rutherford Backscattering spectroscopy (RBS), secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS) are characterized. The modification methods of surface quality aimed at obtaining good substrates for growth of high quality epitaxial layers are reported.

Słowa kluczowe

PL

monokryształ; cienka warstwa; epitaksja

EN

single crystal; thin film; epitaxy

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2001
• Tom: T. 29, nr 3-4
• Strony: 36--55
• Opis fizyczny: Bibliogr. 26 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Sakowska H.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa,