Detektory promieniowania ultrafioletowego z GaN i AlGaN

• Autorzy: Zynek J.

Warianty tytułu

EN

Ultraviolet detectors based on GaN and AlGaN

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł zawiera opis stosowanych obecnie konstrukcji i technologii fotodetektorów z GaN i AlGaN przeznaczonych do detekcji promieniowania ultrafioletowego oraz analizę wpływu parametrów fizycznych warstw epitaksjalnych GaN i AlGaN na właściwości tych fotodetektorów. Analiza dotyczy fotorezystorów, fotodetektorów z barierą Schottky'ego i fotodiod p-i-n. Omówiono uzyskane dotychczas charakterystyki elektryczne i fotoelektryczne tych przyrządów.

EN

The design and technology of ultraviolet photodetectors made of GaN and AlGaN have been reviewed. The influence of physical parameters of GaN and AlGaN epitaxial layers on properties of these photodetectors has been analyzed. Presented analysis concerns photoconductors, Schottky barrier photodetectors and p-i-n photodiodes. The performance of these devices is described in detail.

Słowa kluczowe

PL

promieniowanie ultrafioletowe; fotodetektor

EN

ultraviolet; photodetector

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2001
• Tom: T. 29, nr 3-4
• Strony: 20--35
• Opis fizyczny: Bibliogr. 54 poz., rys.

Twórcy

autor

Zynek J.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133 01-919 Warszawa,