Diody Schottky'ego na podłożach z węgliku krzemu

• Autorzy: Sochacki M. , Szmidt J. , Zdunek K. , Dusiński E.

Warianty tytułu

EN

Silicon carbide Schottky diodes

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono możliwości jakie daje zastosowanie węglika krzemu do wytwarzania dobrze znanych z technologii krzemowej diod Schottky'ego. Materiał ten pozwala na podniesienie temperatury i częstotliwości pracy oraz miniaturyzację przyrządów mocy. Zaprezentowane zostały sposoby podwyższenia napięcia przebicia diody oraz wyniki badań nad metodami zmniejszenia prądów zaporowych i warstwami pasywującymi, jakie mogą być stosowane w technologii węglika krzemu.

EN

The possibilities of application a silicon carbide for production of Schottky diodes are outlined. Silicon carbide allows to elevate the working temperaturę and frequency of devices which are well known in the silicon technology. The miniaturization of power devices is permitted owing to the excellent thermal conduction of this materiał. The techniques of diodę breakdown voltage increasing are presented. In this paper we consider also the methods of leakage decreasing and dielectric layers which may have been useful for passivation of silicon carbide devices.

Słowa kluczowe

EN

silicon carbide; Schottky diode; passivating layers

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 44, nr 7
• Strony: 3--9
• Opis fizyczny: Bibliogr. 21 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Sochacki M.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, Politechnika Warszawska

autor

Szmidt J.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, Politechnika Warszawska

autor

Zdunek K.

• Wydział Inżynierii Materiałowej, Politechnika Warszawska

autor

Dusiński E.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, Politechnika Warszawska

Bibliografia

• 1. M. Bakowski, C. Harris, ,,Silicon Carbide - New High-Temperature Material for Microelectronics”, Microtherm'98 Summer Meeting, Zakopane, 103-117, 1998.
• 2. M. N. Yoder, ,,Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 43, no. 10, 1996, 1633-1636.
• 3. S. Sriram, R. Barron, A. W. Morse, T. J. Smith, G. Augustine, A. A. Burk, Jr., R. C. Clarke, R. C. Glass, H. M. Hobgood, P. A. Orphanos, R. R. Siergiej, C. D. Brandt, M. C. Driver, R. H. Hopkins, ,,High efficiency operation of 6H-SIC MESFET's at 6 GHz”, 53rd Annual Device Research Conference, Charlottesville, Va, June 19-21, 1995, 104-105.
• 4. V. Saxena, J. N. Su, A. J. Steckl, ,,High-Voltage Ni- and Pt-SiC Schottky Diodes Utilizing Metal Field Plate Termination”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 46, no. 3, 456-464, 1999.
• 5. G. Kelner, M. Shur, J. Palmour, „High temperature operation of a-SiC buried-gate junction field-effect transistors”, Electronics Letters, vol. 27, no. 12, 1038-1039, 1991.
• 6. E. A. Kolawa, „High Temperature Electronics”, IEEE Press, 549-570, 1999.
• 7. D. Defives, O. Noblanc, C. Dua, Ch. Brylinski, M. Barthula, V. Aubry-Fortuna, F. Meyer, „Barrier Inhomogeneities and Electrical Characteristics of Ti/4H-SiC Schottky Rectiefiers”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 46, nr. 3, 449-455, 1999.
• 8. D. Defives, O. Durand, F. Wyczisk, O. Noblanc, C. Brylinski, F. Meyer, ,,Electrical behavior and microstructural analysis of metal Schottky contacts on 4H-SIC”, Microelectronic Engineering, no. 55, 2001, 369-374.
• 9. D. J. Morisson, N. G. Wright, A. B. Horsfall, C. M. Johnson, A. G. O'Neill, A. P. Knights, K. P. Hilton, M. J. Uren, ,,Effect of post-implantation anneal on the electrical characteristics of Ni 4H-SiC Schottky barrier diodes terminated using self-aligned argon ion implantation”, Solid-State Electronics, nr 44, 2000, str. 1879-1885.
• 10. K. Ueno, T. Urushidani, K. Hashimoto, Y. Seki, ,,The Guard-Ring Termination for the High-Voltage SiC Schottky Barrier Diodes”, IEEE Electron Device Lett., vol. 16, nr. 7, 331-332, 1995.
• 11. A. Itoh, T. Kimoto, H. Matsunami, „Excellent Reverse Blocking Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers with Boron-Implanted Edge Termination”, IEEE Electron Device Lett., vol. 17, nr. 3, 139-141, 1996.
• 12. H. M. McGlothlin, D. T. Morisette, J. A. Cooper, M. R. Melloch, ,,4kV silicon carbide Schottky diodes for high-frequency switching applications”, IEEE Device Research Conference, Santa Barbara CA, June 28-30, 1999.
• 13. L. A. Lipkin, J. W. Palmour, „Insulator Investigation on SiC for Improved Reliability”, IEEE Transaction on Elektron Devices, vol. 46, nr 3, 1999, 525-532.
• 14. J. Szmidt, ,,Electronic properties of nanocrystalline layers of wide-band-gap materials”, Chaos, Solutions & Fractals, vol. 10, no. 12, 2099-2152, 1999.
• 15. ,,Diody Schottky'ego z Cree i Microsemi”, Elektronik 07/2001, str. 22.
• 16. B. J. Baliga, ,,Trends in Power Semiconductor Devices”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 43, no. 10, 1996, 1717-1731.
• 17. M. Bruzzi, F. Nava, S. Russo, S. Sciortino, P. Vanni, ,,Characterisation of silicon carbide detectors response to electron and photon irradiation”, Diamond and Related Materials, nr 10, 2001, str. 657-661.
• 18. M. Badila, G. Brezeanu, J. Millan, P. Godignon, M. L. Locatelli, J. P. Chante, A. Lebedev, P. Lungu, G. Dinca, V. Banu, G. Banoiu, ,,Lift-off technology for SiC UV detectors”, Diamond and Related Materials, nr 9, 2000, str. 994-997.
• 19. I. Lundstrom, M. S. Shivaraman, C. M. Svensson, L. Lundkvist, ,,Hydrogen sensitive MOS field effect transistor”, Applied Physic Letters, vol. 26, 1975, 55-57.
• 20. H. Dannetu, L. Lundstrom, L. G. Petersson, „Dehydrogenation of acetylene and ethylene studied on clean and oxygen covered palladium surfaces”, Surface Science, vol. 173, 1986, 148-159.
• 21. A. L. Spetz, P. Tobias, A. Baranzahi, P. Martensson, I. Lundstrom, Current status of Silicon Carbide Based High-Temperature Gas Sensors”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 46.