Positron trapping in functional spinel-type oxide ceramics.

Klym, H.; Balitska, V.; Shpotyuk, O. I.; Ingram, A.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Positron trapping in functional spinel-type oxide ceramics.

Autorzy

Klym H. , Balitska V. , Shpotyuk O. I. , Ingram A.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Języki publikacji

Abstrakty

Positron trapping is studied in functional spinel-type oxide MgAl2O4 and Cu0,4Co0,4Ni0,4Mn1.8O4 ceramics using positron annihilation lifetime spectroscopy. Obtained results are treated in terms of multi-exponential model of positron spectrum involving both positron trapping and ortho-positronium decaying. Crystallographical specifity of spinel structure reflects on the shortest lifetime component, while the middle component corresponds to the vacancy-like defects near boundaries. It is shown that in the cases of humidity-sensitive MgAl2O4 ceramics the positron trapping parameters in defects near grain boundaries occurs more efficiently in water-moistened ceramics.

Słowa kluczowe

positron oxide ceramics spinel annihilation lifetime PAL spectroscopy crystallography

pozytron ceramika tlenkowa spinel anihilacja czas życia spektroskopia PAL krystalografia

Wydawca

Komitet Nauki o Materiałach PAN

Czasopismo

Archives of Materials Science

Rocznik

2006

Tom

Vol. 27, nr 4

Strony

177--187

Opis fizyczny

Bibliogr. 22 poz., fot., rys., tab.

Twórcy

autor

Klym H.

autor

Balitska V.

autor

Shpotyuk O. I.

autor

Ingram A.

Institute of Materials of Science Research Company "Carat", 202, Stryjska str., Lviv, 79031, Ukraine

Bibliografia

[1] S. Corso, P. Tailhades, I. Pasquet, A. Rousset, V. Laurent, A. Gabriel, C. Condolf, Solid State Sci., 6, 791 (2004).
[2] P.M.G. Nambissan, C. Upadhyay, H.C. Verma, J. Appl. Phys.,93, 6320 (2003).
[3] S. Ghosh, P.M.G. Nambissan, R. Bhattacharya, Phys. Lett. A, 325, 301 (2004).
[4] J. He, L. Lin, T. Lu, P. Wang, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 191, 596 (2002).
[5] T. Groń, J. Wolff, Th. Hehenkamp, K. Bärner,l. Okońska-Kozłowska, I. Jendrzejewska, E. Malicka, Rad. Effects and Defects in Sol., 139, 97 (1996).
[6] T. Groń, J. Wolff, Th. Hehenkamp, K. Brnem, I. Okońska-Kozłowska, I. Jendrzejewska, E. Malicka, J. Physique IV France, 7, 273 (1997).
[7] T. Groń, J. Wolff, K. Bärner, I. Okońska-Kozłowska, Sol. State Phenom., 67-68, 335 (1999).
[8] I.T. Sheftel, Thermoresistors, Nauka, Moscow 1973, 415 p.
[9] R. Krause-Rehberg, H.S. Leipner, Positron Annihilation in Semiconductors. Defect Studies, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York 1999, p. 378.
[10] O. Shpotyuk, J. Filipecki, Free volume in vitreous chalcogenide semiconductors: possibilities of positron annihilation lifetime study, Wyd. WSP w Częstochowie, Częstochowa 2003, p. 114.
[11] R. Salgueiro, A. Somoza, O. Cabrera, G. Consolati, Cement and Concr. Res., 34, 91 (2004).
[12] B. Jasińska, A. Dawidowicz, T. Goworek, Rad. Phys.Chem., 58, 723 (2000).
[13] G. Consolati, G. Dotelli, F. Quasso, J. Appl. Phys., 86, 4225 (1999).
[14] J. Dryzek, Wstęp do spektroskopii anihilacji pozytonów w ciele stałym, Wyd. Uniwersytetu Jagiellońskiego, Kraków 1997, p. 205.
[15] J. Dryzek, Acta Phys. Polonica A, 95, 539 (1999).
[16] O. Shpotyuk, A. Ingram, H. Klym, M. Vakiv, I. Hadzaman, J. Filipecki, J. Europ. Ceram. Soc, 25, 2981 (2005).
[17] I.B. Vynnyk, I.V. Hadzaman, H.I. Klym, O.Ya. Mrooz, O.I. Shpotyuk, Technology and Design in Electronics, 2, 60 (2006).
[18] J. Kansy, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 374, 235 (1996).
[19] J. Kansy, G. Consolati, C. Dauwe, Rad. Phys. Chem., 58, 427 (2000).
[20] D. Bigg, Polym. Engin. Sci., 36, 737 (1996).
[21] H. Langhammer, T. Müller, A. Polity, K.-H. Felgner, H.-P. Abicht, Mater. Lett., 26, 205 (1996).
[22] K. Kotera, T. Saito,T. Yamanaka, Phys. Lett. A, 345, 184 (2005).

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BOS5-0017-0059