Positron trapping in functional spinel-type oxide ceramics.

• Autorzy: Klym H. , Balitska V. , Shpotyuk O. I. , Ingram A.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Positron trapping is studied in functional spinel-type oxide MgAl2O4 and Cu0,4Co0,4Ni0,4Mn1.8O4 ceramics using positron annihilation lifetime spectroscopy. Obtained results are treated in terms of multi-exponential model of positron spectrum involving both positron trapping and ortho-positronium decaying. Crystallographical specifity of spinel structure reflects on the shortest lifetime component, while the middle component corresponds to the vacancy-like defects near boundaries. It is shown that in the cases of humidity-sensitive MgAl2O4 ceramics the positron trapping parameters in defects near grain boundaries occurs more efficiently in water-moistened ceramics.

Słowa kluczowe

EN

positron; oxide ceramics; spinel; annihilation; lifetime; PAL spectroscopy; crystallography

PL

pozytron; ceramika tlenkowa; spinel; anihilacja; czas życia; spektroskopia PAL; krystalografia

• Wydawca: Komitet Nauki o Materiałach PAN
• Czasopismo: Archives of Materials Science
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 27, nr 4
• Strony: 177--187
• Opis fizyczny: Bibliogr. 22 poz., fot., rys., tab.

Twórcy

autor

Klym H.

autor

Balitska V.

autor

Shpotyuk O. I.

autor

Ingram A.

• Institute of Materials of Science Research Company "Carat", 202, Stryjska str., Lviv, 79031, Ukraine

Bibliografia

• [1] S. Corso, P. Tailhades, I. Pasquet, A. Rousset, V. Laurent, A. Gabriel, C. Condolf, Solid State Sci., 6, 791 (2004).
• [2] P.M.G. Nambissan, C. Upadhyay, H.C. Verma, J. Appl. Phys.,93, 6320 (2003).
• [3] S. Ghosh, P.M.G. Nambissan, R. Bhattacharya, Phys. Lett. A, 325, 301 (2004).
• [4] J. He, L. Lin, T. Lu, P. Wang, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 191, 596 (2002).
• [5] T. Groń, J. Wolff, Th. Hehenkamp, K. Bärner,l. Okońska-Kozłowska, I. Jendrzejewska, E. Malicka, Rad. Effects and Defects in Sol., 139, 97 (1996).
• [6] T. Groń, J. Wolff, Th. Hehenkamp, K. Brnem, I. Okońska-Kozłowska, I. Jendrzejewska, E. Malicka, J. Physique IV France, 7, 273 (1997).
• [7] T. Groń, J. Wolff, K. Bärner, I. Okońska-Kozłowska, Sol. State Phenom., 67-68, 335 (1999).
• [8] I.T. Sheftel, Thermoresistors, Nauka, Moscow 1973, 415 p.
• [9] R. Krause-Rehberg, H.S. Leipner, Positron Annihilation in Semiconductors. Defect Studies, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York 1999, p. 378.
• [10] O. Shpotyuk, J. Filipecki, Free volume in vitreous chalcogenide semiconductors: possibilities of positron annihilation lifetime study, Wyd. WSP w Częstochowie, Częstochowa 2003, p. 114.
• [11] R. Salgueiro, A. Somoza, O. Cabrera, G. Consolati, Cement and Concr. Res., 34, 91 (2004).
• [12] B. Jasińska, A. Dawidowicz, T. Goworek, Rad. Phys.Chem., 58, 723 (2000).
• [13] G. Consolati, G. Dotelli, F. Quasso, J. Appl. Phys., 86, 4225 (1999).
• [14] J. Dryzek, Wstęp do spektroskopii anihilacji pozytonów w ciele stałym, Wyd. Uniwersytetu Jagiellońskiego, Kraków 1997, p. 205.
• [15] J. Dryzek, Acta Phys. Polonica A, 95, 539 (1999).
• [16] O. Shpotyuk, A. Ingram, H. Klym, M. Vakiv, I. Hadzaman, J. Filipecki, J. Europ. Ceram. Soc, 25, 2981 (2005).
• [17] I.B. Vynnyk, I.V. Hadzaman, H.I. Klym, O.Ya. Mrooz, O.I. Shpotyuk, Technology and Design in Electronics, 2, 60 (2006).
• [18] J. Kansy, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 374, 235 (1996).
• [19] J. Kansy, G. Consolati, C. Dauwe, Rad. Phys. Chem., 58, 427 (2000).
• [20] D. Bigg, Polym. Engin. Sci., 36, 737 (1996).
• [21] H. Langhammer, T. Müller, A. Polity, K.-H. Felgner, H.-P. Abicht, Mater. Lett., 26, 205 (1996).
• [22] K. Kotera, T. Saito,T. Yamanaka, Phys. Lett. A, 345, 184 (2005).