PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Positron trapping in chalcogenide glasses: a comparison between arsenic sulphide and selenide.

Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Positron annihilation lifetime measurements are performed for stoichiometric arsenic suphide. It is shown that two-state positron trapping model is valid for this glass as it has been shown previously for stoichiometric arsenic selenide. Two-component fitting parameters of LT computer program, describing positron annihilation in glassy As2S3, are close to those of glassy As2Se3. They are in good agreement with theoretically calculated distribution of nanovoid radii in these materials.
Rocznik
Strony
167--175
Opis fizyczny
Bibliogr. 23 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
  • Lviv Scientific Research Institute of Materials of Scientific Research Company "Carat", 202 Stryjska str., Lviv, 79031, Ukraine
Bibliografia
  • [1] B. Bureau, X.H. Zhang, F. Smektala, J.-L. Adam, J. Troles, H. Ma, C. Boussard-Pledel, J. Lucas, P. Lucas, D. Le Coq, M.R. Riley, J.H. Simmons, J. Non-Cryst. Solids, 345&346, 276 (2004).
  • [2] A. Feltz, Amorphe und Glasartige Anorganische Festkörper, Akademie-Verlag, Berlin 1983.
  • [3] I. Chapnik, J. Mater. Sci. Lett., 12, 422 (1977).
  • [4] Ya.A. Teteris, M.Ya. Reinfelde, Sov. Izv. AN SSSR. Neorgan. Mater., 22, 584(1986).
  • [5] A. Kovalskiy, T. Kavetskyy, Ju. Plewa, O. Shpotyuk, Solid State Phenomena, 90-91, 241 (2003).
  • [6] G. Saffarini, J.M. Saiter, Chalcogenide Letters, 3, 49 (2006).
  • [7] O. Shpotyuk, J. Filipecki, Free volume in vitreous chalcogenide semiconductors: possibilities of positron annihilation lifetime study, Ed. WSP, Częstochowa 2003, 114 p.
  • [8] M. Kastner, Phys. Rev. B, 7, 5237 (1973).
  • [9] D.S. Sanditov, S.Sh. Sangadiev, Sov. Vysokomolekular. Veshchestva, 41, 1 (1999).
  • [10] R. Zallen, The Physics of Amorphous Solids, John Wiley and.Sons Inc., 1983, 192 p.
  • [11] S.A. Dembovsky, E.A. Chechetkina, Glass-formation, Nauka, Moscow 1990, 279 p.
  • [12] R. Krause-Rehberg, H.S. Leipner, Positron annihilation in semiconductors. Defect studies, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York 1999, p. 378.
  • [13] J. Kansy, Instr. Meth. Phys. Res. A, 374, 235 (1996).
  • [14] K.O. Jensen,Ph.S. Salmon, I.T. Penfold, P.G. Coleman, J. Non-Cryst. Solids, 170, 57 (1994).
  • [15] LI. Bardyshev, V.I. Michailov et al., Solid State Physics, 15, 308 (1973).
  • [16] O.K. Alekseeva, V.I. Mihailov et al., Sov. Fiz. Tverd. Tela, 19, 3452 (1977).
  • [17] O.K. Alekseeva, V.I. Mihajlov et al., Phys. Stat. Sol., A48, K169 (1978).
  • [18] O.K. Alekseeva, A.P. Chernov et al., Phys. Stat. Sol., A60, K185 (1980).
  • [19] M.J. Puska, C. Corbel, R.M. Nieminen, Phys. Rev. B, 41, 9980 (1990).
  • [20] J. Filipecki, Z. Mandecki et al., Visnyk Lviv. Univer. Ser. Phys., 33, 204 (2000).
  • [21] A. Kozdras, J. Filipecki, M. Hyla, O. Shpotyuk, A. Kovalskiy, S. Szymura, J. Non-Cryst. Solids, 12-13, 1077 (2005).
  • [22] O. Shpotyuk, A. Kovalskiy, J. Filipecki, M. Hyla, A. Kozdras, Physica B, 340-342, 960 (2003).
  • [23] M.A. Popescu, J. Non-Cryst. Solids, 35-36, 549 (1980).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BOS5-0017-0058
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.