Quantitative characterization of surface topography in scanning electron microscopy.

• Autorzy: Słówko W. , Drzazga W. , Klubiński G.

Warianty tytułu

PL

Badanie ilościowe topografii powierzchni w skaningowym mikroskopie elektronowym.

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

A method for quantitative characterization of surface topography in SEM is presented. It is based on directional detection of secondary electrons in a multi-channel system and proper processing of the signal in an analogue or computer system. In a two-detector system, a pure material or topographic contrast can be isolated. Quantitative topographic information including the height and side slopes, can be displayed in a form of profiles. A fully three dimensional reconstruction in an axonometric view requires four detector unit and a computer processing system. The both systems can also be applied in combination with a conical retarding lens to decelerate the electron beam in SEM. Low energy microscopy is particularly advantageous for semiconductors and non conductive samples. Several micrograms obtained in systems designed in ITM PWr are an illustration to applications of the method.

PL

Przedstawiono metodę umożliwiającą uzyskanie obrazowania topografii powierzchni w SEM, w formie ilościowej. Metoda opiera się na kierunkowej detekcji elektronów wtórnych, w wielokanałowym układzie detekcyjnym i odpowiednim przetwarzaniu uzyskanego sygnału, z zastosowaniem systemu analogowego lub komputerowego. Układ dwu-detektorowy umożliwia wyizolowanie czystego kontrastu topograficznego, a także uzyskanie ilościowych informacji o wysokości i nachyleniu elementów powierzchni, w formie profili. W pełni trójwymiarowa rekonstrukcja w formie widoku aksonometrycznego, wymaga zastosowania układu cztero-detektorowego i komputerowego systemu przetwarzającego. Obydwa układy detekcyjne mogą być również zastosowane w kombinacji ze stożkową soczewką hamującą, umożliwiającą zmniejszenie energii wiązki elektronowej. Mała energia wiązki elektronowej jest szczególnie korzystna przy badaniach półprzewodników i dielektryków. Szereg zdjęć mikroskopowych uzyskanych w systemach opracowanych w ITM PWr, stanowi ilustrację możliwości zastosowania opisanej metody.

Słowa kluczowe

EN

quantitative characterization; surface topography; scanning electron microscopy; multichannel system; directional detection of secondary electrons; processing of the signal; height; side slopes

PL

badania ilościowe; topografia powierzchni; skaningowy mikroskop elektronowy; wielokanałowy układ detekcyjny; kierunkowa detekcja elektronów wtórnych; przetwarzanie uzyskanego sygnału; wysokość; nachylenie

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2002
• Tom: R. XXIII, nr 2
• Strony: 69--72

Twórcy

autor

Słówko W.

autor

Drzazga W.

autor

Klubiński G.

• Politechnika Wrocławska, Instytut Techniki Mikrosystemów