PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Badanie stopnia zdefektowania struktury szkieł tellurowych metodą pomiarów czasów życia pozytonów

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Investigation of the structure of the tellurite glasses by means of positron lifetime measurements
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Spektroskopię czasów życia pozytonów PALS wykorzystano do określenia zmian stopnia zdefektowania struktury szkieł tellurowych domieszkowanych jonami lantanu. W wyniku przeprowadzonych badań, na podstawie uzyskanych widm czasów życia pozytonów obliczono wartości dwóch składowych tau i ich natężeń. Przeprowadzona analiza wskazuje, że uzyskane składowe czasów życia pozytonów odpowiadają w przypadku tau 1, za anihilację z elektronami swobodnymi oraz anihilację w zdefektowanej strukturze typu wakans. Druga składowa tau 2 związana jest z występowaniem defektów objętościowych powstałych na granicy ziaren lub dyslokacji występujących w badanych szkłach. Na podstawie przeprowadzonych badań stwierdzono, że w procentowym udziale natężeń poszczególnych składowych czasów życia pozytonów tau, zdecydowanie przeważają anihilacje swobodne i defekty atomowe typu wakans.
EN
Positron lifetime spectroscopy PALS has been applied of the investigation of the structure of tellurite glasses lanthanum ions doped. As a results of the research of positron lifetimes two components tau and its intensities were obtained. The analysis shows that obtained lifetime components tau 1 are responsible for the occurrence of free positrons annihilation with electrons, on the other hand the intermediate lifetime tau 2 is due to positron trapping modes. The percentage of intensities of individual components of positron lifetime shows that strongly dominated by free positrons annihilation and vacancy-type defects.
Czasopismo
Rocznik
Strony
9--12
Opis fizyczny
Bibliogr. 12 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
Bibliografia
  • [1] Krause-Rehberg R., Leipner H.S.: Positron Annihilation in Semiconductors, Defect Studies, Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1999.
  • [2] Dryzek J.: Wstęp do spektroskopii anihilacji pozytonów w ciele stałym, Wyd. Uniw. Jagiellońskiego, Kraków 1997.
  • [3] Shpotyuk O., Filipecki J.: Free volume in vitreous chalcogenide semiconductors: possibilities of positron lifetime study, Wydawnictwo Naukowe WSP, Częstochowa 2003 (str. 114).
  • [4] Kansy J.: Microcomputer program for analysis of positron annihilation lifetime spectra, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 364, 235 (1996).
  • [5] Schwartz H.A.: J.Phys.Chem., 73, 1928 (1969).
  • [6] Stepanov S.V., Byakov V.M.: J.Chem. Phys., 116, 14 (2002).
  • [7] J.Kansy, T.Suzuki, T.Ogawa, Radiat. Phys. And Chem., 58, 545 (2000).
  • [8] Langhammer H.T., Müller T., Polity A., Felgner K., Abicht H.: Matter. Lett., 26, 205 (1996).
  • [9] Zhi Y., Chen A., Massoud A.M., Langhammer H.T.: Rad. Phys. Chem., 68, 549 (2003).
  • [10] Filipecki J., Shpotyuk O., Ingram A., Kozdras A.,Shpotyuk L., Hyla M.: J. Phys. Chem. Sol., 68, 998 (2007).
  • [11] Nambissan P.M.G., Upadhyah C., Verna H.C.: J. Appl. Phys., 93, 6320 (2003).
  • [12] Reben M., Golis E.P., Wasylak J.: Ceramika/Ceramics, 103, 1305 (2008).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BOS3-0024-0002
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.