New materials for memories (FeRAM): study of SrBi2Ta2O9 (SBT) thin films on a conductive oxide substrate.

• Autorzy: Nihoul G. , Villain S. , Madigou V. , Nigrelli E.

Warianty tytułu

PL

Nowe materiały dla pamięci (FeRAM): badanie cienkich warstw SrBi2Ta2O9 (SBT) na substratach z tlenków przewodzących.

• Konferencja: XVIth Physical Metallurgy and Materials Science Conference on Advanced Materials and Technologies AMT'2001, Gdańsk-Jurata, 16-20 September, 2001
• Języki publikacji: PL

Słowa kluczowe

PL

pamięć; pamięć stała; cienka warstwa; cienka warstwa ferromagnetyczna; przewodzenie; epitaksja; polaryzacja

EN

memory; non-volatile memory; thin films; ferroelectric thin films; conduction; oxide substrate; epitaxy; polarization

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2001
• Tom: R. XXII, nr 5
• Strony: 663--663

Twórcy

autor

Nihoul G.

• Universite de Toulon et du Var, Laboratoire Materiaux et Microelectronique de Provence

autor

Villain S.

• Universite de Toulon et du Var, Laboratoire Materiaux et Microelectronique de Provence

autor

Madigou V.

• Universite de Toulon et du Var, Laboratoire Materiaux et Microelectronique de Provence

autor

Nigrelli E.

• Universite de Toulon et du Var, Laboratoire Materiaux et Microelectronique de Provence

• Universite de Toulon et du Var, Laboratoire Materiaux et Microelectronique de Provence,