Synteza bezpostaciowych warstw dielektrycznych metodą CVD o wysokiej przeświecalności

Kwatera, A.; Sawka, A.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Synteza bezpostaciowych warstw dielektrycznych metodą CVD o wysokiej przeświecalności

Autorzy

Kwatera A. , Sawka A.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Synthesis of highly transparent and amorphous dielectric layers by CVD method

Konferencja

II Ogólnopolska Konferencja Naukowa "Nowe technologie w inżynierii powierzchni", Łódź-Spała, 12-14 października 2000.

Języki publikacji

Abstrakty

Materiały dielektryczne zarówno w postaci cienkich warstw jak i w dużej objętości, z uwagi na dużą przerwę energetyczna między pasmem podstawowym i przewodnictwa, mogą mieć bardzo wysoką przeświecalność w świetle widzialnym, jeżeli występują w formie bezpostaciowej lub monokrystalicznej. W przypadku materialów dielektrycznych polikrystalicznych ich przeświecalność może być znacznie obniżona ze względu na rozpraszanie światła na granicach międzyziamowych. Występowanie nukleacji homogenicznej w procesie syntezy warstw metodą CVD powoduje również znaczne obniżenie przeświecalności warstw bezpostaciowych i monokrystalicznych. Powstające w wyniku tego procesu porowate proszki, o składzie zbliżonym lub takim samym jak sklad syntezowanej warstwy mogą osiadać również na syntezowanej warstwie, przez co warstwa wykazuje znaczną porowatość. Takie cząstki powodują powstawanie granic międzyfazowych (między fazą bezpostaciową litą i fazą bezpostaciową porowatą). Na powstałych granicach również dochodzi do rozpraszania światła. W pracy przedstawiono wyniki badań nad wpływem temperatury syntezy warstw Si3N4 na szkle kwarcowym metodą CVD na ich przeświecalność.

Si3N4 layers were synthesized by CVD method using a mixture of Sil-l, (3% by volume) with N2 and pure ammonia gas. Pure argon was the carrier gas. Silieon nitride layers were deposited on the inner surfaces of quartz glass tubes. Tt was ascertained that hornoge neous nucleation reduced the transparency of the layer by an extent depending on the degree of its participation. ShN4 layers of 0,2 urn thickness, synthesized without the participation ofhomogeneous nucleation, exhibited a decrease in visible light transmission of 1-3% and homogeneous nucleation reduced the light transmission even as much as 20%.

Słowa kluczowe

synteza bezpostaciowa warstwa dielektryczna przeświecalność materiałów dielektrycznych CVD warstwa azotku krzemu

synthesis transparent dielectric layers amorphous dielectric layers CVD silicon nitride layers phase boundaries

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Inżynieria Materiałowa

Rocznik

2000

Tom

R. XXI, nr 6

Strony

332--335

Opis fizyczny

Bibliogr. 20 poz., rys.

Twórcy

autor

Kwatera A.

Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Kraków

autor

Sawka A.

Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Kraków

Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Kraków

Bibliografia

[1] Pampuch R., Kwatera A., Jonas S., Walasek E., Ptak W., Lesiuk B., Łukasik R.: Lampa halogenkowa o zwiększonej trwałości i sposób wykonania jarzmika. Patent RP nr 2781 26,1.06.1993
[2] Kwatera A.: Model Studies on the Disposal of Waste Products Resulting from the Pyrolisis of CH3SiCl3 in CVD Process, Ceram. Int. 16(1990)273
[3] Kwatera A., Sawka A.: Synteza przeźroczystych warstw AI2O3 z A1(02C5H7)3 metodą CVD na szkle kwarcowym. Mat. z Konf. Naukowo-Technicznej n.t. “Nowe Materiały Nowe Technologie Materiałowe w Przemyśle Okrętowyn i Maszynowym” - “INŻYNIERIA MATERIAŁOWA”, Szczecin-Świnoujście 10-13.09.1998, str. 351
[4] Kwatera A.: Highly Transparent Thin CVD Layers of Si3N4 on Quartz Glass, J. of Non-Cryst. Solids 178(1994)210
[5] Kwatera A.: Models of the Processes at the Substrate in the CVD Method, Ceram. Int., 17(1991)11
[6] Kwatera A.: Carbon-doped α-Al2O3 films synthesized on cemented carbide tools by the Metal Organic LPCVD technique. Thin Solid Films, 200(1991)19
[7] Kwatera A.: Uniform Thin Chemically Vapour Deposited Layers of high Density on the Inner Surfaces of Tube Shaped Substrates, Thin Solid Films, 204( 1991 )313
[8] Kwatera A.: Modelowanie chemicznego procesu osadzania cienkich warstw z fazy gazowej w warunkach procesu kontrolowanego dyfuzją masy do podłoża. Zeszyty Naukowe AGH, Ceramika nr 62 (1991)
[9] Kwatera A.: Sterowanie procesem wzrostu cienkich warstw otrzymywanych metodą CVD, Inżynieria Materiałowa, 2-3 (1992)61
[10] Kwatera A.: Highly Transparent and Uniform Thin CVD Dielectric Layers, Advanced Ceramics, Glass and Mineral Binding Materials, Mat. z V Polskiego-Niemieckiego Seminarium. Zakopane, 1992, str. 185
[11] Kwatera A.; Processing of Thin Films with a High Density and Uniformity in Thickness by CVD Method, Referat przedstawiony na konf. “Processing of Thin Films Symposium”, Hawaii, USA, Nov. 7-10,1993
[12] Kwatera A.: Method of Controlling the Deposition of CVD Layers, Proc. of “Third European Ceramic Society Confefence” Madrid, 12-17 Sept. 1993, Faenza Ed. Iberice, vol. 2 (1993), p.815
[13] Kwatera A.; Matematyczne sterowanie procesem syntezy cienkich warstw metoda chemicznego osadzania z fazy gazowej. Materiały z III Ogólnopolskiej Konferencji Naukowej pt. “Obróbka powierzchniowa” organizowanej przez Komitet Budowy Maszyn PAN, Zespół Inżynierii Powierzchni Komitet Nauki o Materiałach PAN, Politechnika Częstochowska, Instytut Inżynierii Materiałowej, Kule k/Częstochowy 9-12.10.1996, str. 224
[14] Kwatera A., Sawka A.: Wpływ sposobu ułożenia płaskiego podłoża w poziomym reaktorze CVD na rozkład grubości syntezowanej warstwy. Mat. z Konf. Naukowo-Technicznej n.t. “Nowe Materiały – Nowe Technologie Materiałowe w Przemyśle Okrętowym i Maszynowym” – “INŻYNIERIA MATERIAŁOWA”, Szczecin-Świnoujście 10-13.09.1998, str. 335
[15] Burakowski T., Wierzchoń T.: Inżynieria Powierzchni Metali, WNT, Warszawa, 1995
[16] Kwatera A., Święch I., Sawka A.: Modelowe badanie przepływu masy w reaktorze CVD za pomocą dopplerowskiego anemometru laserowego. Materiały z Międzynarodowego Sympozjum “Inżynieria Powierzchni’97” zorganizowanego przez Instytut Mechaniki Precyzyjnej, Warszawa 12-14 maja 1997, str. 375
[17] Kwatera A., Sawka A.: Badanie charakteru przepływu reagentów w reaktorze CVD za pomocą dopplerowskiego anemometru laserowego, mat. z Konf. “Dobór i Eksploatacja Materiałów Inżynierskich zorganizowanej przez Wydz. Mechaniczny Politechniki Gdańskiej, Jurata 22-25 września 1997, str. 371
[18] Pampuch R. Słomka W., Chłopek J.: Determination of the Influence of Matrix – Ceramics Fibre Reaction on Strength of Composites, Ceram. Int., 12 (1986) 9
[19] Kwatera A., Sawka A.: Synteza odpornych na korozję naprężeniową warstw Si2N4 na szkle kwarcowym. Mat. przygotowany na tę konferencję “Nowe Technologie w Inżynierii Powierzchni’, Łódź-Spała, 12-14.10.2000
[20] Pampuch R.: Budowa i właściwości materiałów ceramicznich, Wyd. AGH, 1995, cz. 111

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BOS3-0002-0069