Fizyczne własności epitaksjalnych warstw PbTe otrzymywanych przez odparowywanie laserowe.

• Autorzy: Piotrowski T.

Warianty tytułu

EN

Electrophysical properties of PbTe epitaxial layers obtained by modulated laser beam evaporation technique.

• Konferencja: II Ogólnopolska Konferencja Naukowa "Nowe Technologie w Inżynierii Powierzchni", Łódź-Spała, 12-14 października 2000
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono metodykę uzyskiwania warstw epitaksjalnych ze związków AIVBVI z wykorzystaniem modulowanej wiązki lasera dużej mocy (10 do potęgi piątej W/cm kwadratowy) o długości fali 10,6 mm. Badano, w funkcji temperatury, zmiany współczynnika Halla warstw epitaksjalnych PbTe otrzymywanych przez laserowe odparowanie krystalicznego źródła, dla różnych temperatur (160-380 stopni Celsjusza) krystalicznego podłoża z BaF2(111). Zaobserwowano zmianę typu przewodności warstw z przewodności typu p na przewodność typu n, przy podwyższaniu temperatury podłoży, począwszy od 210 stopni Celsjusza. Wykorzystując pomiary STM badano topografię powierzchni warstw, określono wielkości ziaren na około 20-30 nm i po nałożeniu cienkiej warstwy złoża chropowatość powierzchni (<5 nm). Metoda epitaksji laserowej pozwoliła uzyskać warstwy o nietypowych elektrofizycznych właściwościach i koncentracjach elektronów w zakresie nie osiągalnym innymi metodami.

EN

In this report the investigation of PbTe layers are presented. The layers have been grown by source evaporation technique using a modulated infrared (10,6 micrometer) large power (10 to the 5th W/square centimetres) laser beam. Tempearture dependence of the Hall coefficient of PbTe layers has been investigated. The PbTe layers have been grown on monocrystal BaF2(111) substrate, using the laser beam assisted evaporation for various substrate temperatures in the range 160-380 degrees centigrade. During the increase of substrate temperature beginning from the temperature approximately 210 degrees centigrade the layer conductivity changed from p to n type. The topographic measurements with the STM for the determination of the surface roughness (after gold covering) and grain dimensions have been presented. The grain size (20-30 nm) and the surface roughness (<5nm) of layers were determined. Using the laser evaporation technique it is possible to obtain the non-typical electrophysical properties of epitaxial PbTe films and electron concentration in the range which is impossible to reach with other methods.

Słowa kluczowe

PL

własności elektrofizyczne; warstwa epitaksjalna; odparowywanie laserowe; współczynnik Halla; przewodność warstw; topografia powierzchni; warstwa półprzewodnikowa

EN

electrophysical properties; epitaxial layers; laser beam evaporation; Hall coefficient; layer conductivity; surface topography; semiconductor layers

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2000
• Tom: R. XXI, nr 6
• Strony: 392--394
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys.

Twórcy

autor

Piotrowski T.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] S.V.Plyatsko, Yu.S.Gromovoj, G.E.Kostyunin, F.F.Sizov,V. P Kladko: Laser-assisted evaporation of high-quality narrow-gap films. Thin Solid Films, 221,1992,127.
• [2] S.V.Plyatsko, Yu.S.Gromovoj, F.F.Sizov: Narrow-gap IV-VI thin films produced by quasi-continuos-wave CO2-laser induced evaporation. Thin Solid Films, 218, 1992, 151.
• [3] F.F.Sizov: Semiconductor Superlattice and Quantum Well Detectors in a look Infrared Photon Detectors. Published by SPIE, Washington USA,1995, 561.
• [4] T.Piotrowski, J.Pułtorak, Z.E.Kulumbetow, A.I.Liptuga, S.V.Plyacko: Investigations of laser deposited semiconductor layers with the STM, Electron Technology, 31, 2,1998,219.