PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Badania składu chemicznego cienkich warstw tlenku molibdenu MoO3-x metodą XPS.

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Investigations of chemical composition of the molybdenum oxide MoO3-x, thin films by XPS method.
Konferencja
IV Ogólnopolska Konferencja Naukowa 'Obróbka powierzchniowa', 5-8 października 1999 r., Kule k/Częstochowy
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W pracy tej, technika XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) została użyta do pomiaru odchyleń od składu stechiometrycznego w badanych warstwach. Stwierdzono, że skład chemiczny otrzymanych drobnokrystalicznych i amorficznych warstw tlenku odpowiada, w granicach błędu pomiarowego, stechiometrycznej formule MoO3. Zaobserwowano także dużą wrażliwość badanych warstw na bombardowanie jonowe w wysokiej próżni. W jego wyniku ma miejsce wyraźny, powierzchniowy ubytek tlenu. Potwierdzają to wyniki analiz, a także zmiany kształtu widma fotoelektronów w walencyjnym przedziale energii, wskazujące na wzrost koncentracji centrów donorowych.
EN
The aim of this work was to estimate the oxygen to molybdenum atomic ratios in thin films under study, by means of XPS method. The photoelectron spectra were registered for as loaded (A) crystalline and amorphous thin oxide films on silicon substrates. Using Mo(3d) and 0(1s) core level lines, the oxygen to molybdenum atomic ratios have been determined as very close, within experimental error, to the valve corresponding to stoichiometric MoO3 oxide. Films of both types have been also found to be highly sensitive to ion bombardment under high vacuum conditions. After such a treatment, significant change of core level and valence band spectra of both, crystalline and amorphous films, can be observed - (B) denoted spectra. This change is due to oxygen vacancies playing a role of donor centers.
Rocznik
Strony
481--483
Opis fizyczny
Bibliogr. 10 poz., rys.
Twórcy
  • Katedra Fizyki, Politechnika Koszalińska
autor
  • Katedra Fizyki, Politechnika Koszalińska
  • Politechnika Koszalińska, Katedra Fizyki
Bibliografia
  • [1] Wahl K.J., Seitzman L.E., Bolster R.N., Singer I.L., Peterson M.B., Ion-beam deposited Cu-Mo coatings as high temperature solid lubricants; Surface and Coatings Technology 89 (1997) 245
  • [2] Walck S.D., Zabiński J.S., McDevitt N.T., Bultman J.E., Characterisation of air-annealed, pulsed laser deposited ZnOWS2 solid film lubricants by transmission electron microscopy; Thin Solid Films 305 (1997) 130
  • [3] Hulliger F., Physics and chemistry of materials with layered structure, Vol. 5, ed. F. Levy, D. Reidel Publishing Company (1976) 169
  • [4] Herman K., Michalak A., Witko M., Cluster model studies on oxygen sites at the (010) surfaces of V205 and MoO3; Catalysis Today 32 (1996) 321
  • [5] Gulbiński W., Warcholiński B., Technologia i własności cienkich warstw tlenku molibdenu α-MoO3, Materiały I Kongresu Polskiego Towarzystwa Próżniowego, Wydawnictwo Uniwersytetu Jagiellońskiego, Kraków (1998) 389
  • [6] Dilks A. Electron Spectroscopy; Theory, Techniques and Applications. Vol. 4, ed. C.R. Brundle and A.D. Baker, Academic Press (1981) 277
  • [7] Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, Perkin Elmer Corp., Eden Prairie, Minnesota (1978)
  • [8] Colton R.J., Guzman A.M., Rabalais J. Wayne,Eectrochromism in some thin film transition metal oxides characterised by x-ray electron spectroscopy; J. Appl. Phys. 49 (1978) 409
  • [9] McIntyre N.S., Johnston D.D., Catsworth L.L., Davidson R.D. X-ray photoelectron spectroscopy studies of thin film oxides of cobalt and molybdenum; Surface and Interface Analysis 15 (1990) 265
  • [10] Tilley R.J.D., Structural Aspects of Non-stoichiometry in: Crystallography and Crystal Chemistry of Materials with Layered Structures, Vol. 2, ed. F. Levy, D.Reidel Publishing Company (1994) 139
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BOS1-0009-0057
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.