Structural study of InGaAs/GaAs heterostructures.

• Autorzy: Kątcki J. , Rzodkiewicz W. , Ratajczak J. , Adamczewska J. , Regiński K. , Phillipp F. , Jin-Phillipp N.Y.
• Konferencja: XV Physical Metallurgy and Materials Science Conference on Advanced Materials & Technologies AMT'98, Kraków-Krynica, Poland, 17-21 May, 1998
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

This paper reports results of the investigation of the influence of the profile of indium content in a InxGa1-xAs layer on the formation of dislocations. In GaAs/GaAs heterostructures were grown by molecular beam epitaxy (MBE). Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) and x-ray diffractometry was involved. A difference in dislocation structure was observed in a heterostructure with a graded-index layer and with InxGa1-xAs multilayers.

Słowa kluczowe

EN

indium; layer; dislocation; lattice; lattice disregistry; lattice misfit

PL

ind; warstwa; powłoka; dyslokacja; sieć krystaliczna; niedopasowanie sieciowe

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 1998
• Tom: R. XIX, nr 4
• Strony: 844--847

Twórcy

autor

Kątcki J.

autor

Rzodkiewicz W.

autor

Ratajczak J.

autor

Adamczewska J.

autor

Regiński K.

autor

Phillipp F.

autor

Jin-Phillipp N.Y.

• Institute of Electron Technology, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland