Investigation of III-V semiconductor heterostructures.

• Autorzy: Kątcki J. , Ratajczak J. , Adamczewska J. , Lewandowski W. , Rzodkiewicz W. , Shiojiri M. , Phillipp F.
• Konferencja: XV Physical Metallurgy and Materials Science Conference on Advanced Materials & Technologies AMT'98, Kraków-Krynica, Poland, 17-21 May, 1998
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In this paper an overview of analytical techniques necessary for characterization of the growth processes of III-V semiconductor heterostructures is given. The application of electron microscopic techniques as well as x-ray diffraction and photoluminescence is emphasized. The heterostructures discussed were grown by various techniques of epitaxy.

Słowa kluczowe

EN

semiconductor; thin layer; lattice; X-ray diffraction; photoluminescence; indium

PL

półprzewodnik; cienka warstwa; sieć krystaliczna; dyfrakcja promieniowania rentgenowskiego; fotoluminescencja; ind

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 1998
• Tom: R. XIX, nr 4
• Strony: 791--796
• Opis fizyczny: Bibliogr.11 poz., rys.

Twórcy

autor

Kątcki J.

• Institute of Electron Technology: Warsaw, Poland

autor

Ratajczak J.

• Institute of Electron Technology: Warsaw, Poland

autor

Adamczewska J.

• Institute of Phisics, PAS, Warsaw, Poland

autor

Lewandowski W.

• Institute of Electron Technology: Warsaw, Poland

autor

Rzodkiewicz W.

• Institute of Electron Technology: Warsaw, Poland

autor

Shiojiri M.

• Kyoto Institute of Technology, Kyoto, Japan

autor

Phillipp F.

• Max-Planck Institut fur Metallforschung, Stuttgart, Germany

• Institute of Electron Technology

Bibliografia

• [1] C. Henghuber, H. Oppolzer and S. Schild, Siemens Forsch. Entwickl. Ber., 9 (1980) 363
• [2] O. Geszti, L. Gosztola and L. Seyefried, Thin Solid Films, 136 (1980) L35
• [3] J. Ratajczak, ITE Reports, No 9 (1990) 51
• [4] J. J. Kątcki, J. Ratajczak, A. Malag and M. Piskorski, Microscopy of Semiconducting Materials 1995 (A.G. Cullis and A.E. Statton Bevan, ed.), IOP, Bristol 1995, p. 273
• [5] J. Kątcki, K. Regiński, M. Bugajski, J. Adamczewska, W. Lewandowski, J. Ratajczak, W. Rzodkiewicz and J.A. Kozubowski, Microscopy of Semiconducting Materials 1997 (A.G.Cullis and J.L Hutchison, ed.), IOP, Bristol 1997, p. 291
• [6] J. Kątcki, J. Ratajczak, W. Rzodkiewicz, J. Adamczewska, F. Phillipp and N.Y. Jin-Phillipp, Electron Technology, 31 (1998) in press.
• [7] M. Kamińska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 1881.
• [8] K. Regiński, A. Maląg, D. Radomska, J. Kątcki, J. Muszalski and M. Bugajski, Electron Technology, 29 (1996) 387.
• [9] J. Kątcki, E. Mizera, A. Piotrowska and J. Ratajczak, Microscopy of Semiconducting Materials 1995 (A.G. Cullis and A.E. Statton Bevan, ed.), IOP, Bristol 1995, p. 557
• [10] J. Kątcki, M. Shiojiri, T. Issshiki, K. Nishio, Y. Yabuuchi, N. Y. Jin-Phillipp, Microscopy of Semiconducting Materials 1997 (A.G. Cullis and J.L Hutchison, ed.), IOP, Bristol 1997, p. 295
• [11] J. Kątcki, W. Rzodkiewicz, J. Ratajczak, J. Adamczewska, K. Regiński, F. Phillipp and N.Y. Jin-Phillipp, this proceedings